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新器件縮小封裝尺寸60%，增強(qiáng)性能并減少損耗 安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，在PCIM Europe展會(huì)發(fā)布全球首款To-Leadless (TOLL) 封裝的碳化硅 (SiC) MOSFET。該晶體管滿足了對(duì)適合高功率密度設(shè)計(jì)的高性能開關(guān)器件迅速增長的需求。直到最近，SiC器件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7引腳封裝。 
TOLL 封裝的尺寸僅為 9.90 mm x 11.68 mm，比 D2PAK 封裝的PCB 面積節(jié)省30%。而且，它的外形只有 2.30 mm，比 D2PAK 封裝的體積小 60%。 除了更小尺寸之外，TOLL 封裝還提供比 D2PAK 7 引腳更好的熱性能和更低的封裝電感 (2 nH)。 其開爾文源極(Kelvin source)配置可確保更低的門極噪聲和開關(guān)損耗 – 包括與沒有Kelvin配置的器件相比，導(dǎo)通損耗 (EON) 減少60%，確保在具有挑戰(zhàn)性的電源設(shè)計(jì)中能顯著提高能效和功率密度，以及改善電磁干擾(EMI) 和更容易進(jìn)行PCB 設(shè)計(jì)。 安森美先進(jìn)電源分部高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理 Asif Jakwani 說：“能在小空間內(nèi)提供高度可靠的電源設(shè)計(jì)正成為許多領(lǐng)域的競爭優(yōu)勢(shì)，包括工業(yè)、高性能電源和服務(wù)器應(yīng)用。將我們同類最佳的 SiC MOSFET 封裝在TOLL 封裝中，不僅減小空間，還在諸多方面增強(qiáng)性能，如 EMI和降低損耗等，為市場(chǎng)提供高度可靠和堅(jiān)固的高性能開關(guān)器件，將幫助電源設(shè)計(jì)人員解決對(duì)其嚴(yán)格的電源設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。” SiC 器件比硅前輩具有明顯的優(yōu)勢(shì)，包括增強(qiáng)高頻能效、更低的EMI、能在更高溫度下工作和更可靠。 安森美是唯一具有垂直集成能力的SiC方案供應(yīng)商，包括 SiC 晶球生長、襯底、外延、晶圓制造、同類最佳的集成模塊和分立封裝解決方案。 NTBL045N065SC1是首款采用 TOLL 封裝的 SiC MOSFET，適用于要求嚴(yán)苛的應(yīng)用，包括開關(guān)電源 (SMPS)、服務(wù)器和電信電源、太陽能逆變器、不間斷電源 (UPS) 和儲(chǔ)能。 該器件適用于需要滿足最具挑戰(zhàn)性的能效標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)，包括 ErP 和 80 PLUS Titanium能效標(biāo)準(zhǔn)。 NTBL045N065SC1 的 VDSS額定值為 650 V，典型 RDS(on) 僅為 33 mΩ，最大電耗(ID) 為 73 A。基于寬禁帶(WBG) SiC 技術(shù)，該器件的最高工作溫度為 175°C ，并擁有超低門極電荷 (QG(tot) = 105 nC)，能顯著降低開關(guān)損耗。 此外，該TOLL 封裝是保證濕度敏感度等級(jí)1 (MSL1) ，以確保減少批量生產(chǎn)中的故障率。 此外，安森美還提供車規(guī)級(jí)器件，包括 TO-247 3 引腳、4 引腳和 D2PAK 7 引腳封裝。 |
