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如何選擇嵌入式產(chǎn)品中的存儲(chǔ)器類(lèi)型 ?

發(fā)布時(shí)間:2022-4-28 11:27    發(fā)布者:武漢萬(wàn)象奧科
關(guān)鍵詞: 存儲(chǔ)器 , NAND Flash , NOR Flash , eMMC
摘要:Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性?xún)?nèi)存,其作為數(shù)據(jù)、系統(tǒng)存儲(chǔ)的關(guān)鍵介質(zhì),在嵌入式系統(tǒng)中扮演著重要角色。常見(jiàn)的Flash有NAND Flash 、Nor Flash、eMMC等,本文將簡(jiǎn)單介紹不同F(xiàn)lash的區(qū)別及應(yīng)用場(chǎng)景。

圖1 HD6Q-CORE ARM核心板板載Flash
  • NAND Flash
按照接口區(qū)分,NAND Flash分為串行和并行兩種,串行就是每次傳輸1 bit,并行就是每次傳輸多位。下圖的并行Flash采用8bit的數(shù)據(jù)位寬,并配合RE/WE等讀寫(xiě)信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)。串行Flash管腳較少,多采用SPI或者QSPI接口進(jìn)行通信。一般來(lái)講,并行Flash的容量要高于串行Flash。

圖2 并行NAND Flash接口

圖3 串行NAND Flash接口
按照顆粒密度區(qū)分,并行NAND Flash可以分為SLC、MLC、TLC、QLC等,其中SLC、MLC顆粒較為常用。

圖4 SLC、MLC、TLC、QLC
  • 第一代SLC(Single-Level Cell)每單元可存儲(chǔ)1比特?cái)?shù)據(jù)(1bit/cell),性能好、壽命長(zhǎng),可經(jīng)受10萬(wàn)次編程/擦寫(xiě)循環(huán),但容量低、成本高,市場(chǎng)上用的比較少;
  • 第二代MLC(Multi-Level Cell)每單元可存儲(chǔ)2比特?cái)?shù)據(jù)(2bits/cell),性能、壽命、容量、成各方面比較均衡,可經(jīng)受1萬(wàn)次編程/擦寫(xiě)循環(huán),目前主流的核心板廠商大都配置該類(lèi)型的存儲(chǔ);
  • 第三代TLC(Trinary-Level Cell)每單元可存儲(chǔ)3比特?cái)?shù)據(jù)(3bits/cell),性能、壽命變差,只能經(jīng)受3千次編程/擦寫(xiě)循環(huán),但是容量可以做得更大,成本也可以更低,大多數(shù)固態(tài)硬盤(pán)的選擇;
  • 第四代QLC(Quad-Level Cell)每單元可存儲(chǔ)4比特?cái)?shù)據(jù)(4bits/cell),性能、壽命進(jìn)一步變差,只能經(jīng)受1000次編程/擦寫(xiě)循環(huán),但是容量更容易提升,成本也繼續(xù)降低。
2.Nor Flash
NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù),是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。按照接口區(qū)分, Nor Flash也可以分為并行和串行兩種。由于并行Nor Flash易存在兼容性問(wèn)題,現(xiàn)已逐漸淘汰,目前常用的Nor Flash通常指串行Flash,即SPI Flash,其接口定義和圖3一致。
與NAND Flash相比,Nor Flash容量較低,且讀寫(xiě)速度和擦寫(xiě)速度較慢。不同于NAND Flash的是,NOR Flash支持Execute ON Chip,程序可以直接在Flash片內(nèi)執(zhí)行,因此很適合作為嵌入式系統(tǒng)中的程序啟動(dòng)介質(zhì)。
表1 NAND Flash &Nor Flash 存儲(chǔ)介質(zhì)對(duì)比表

3.eMMC

eMMC 本質(zhì)上還是Nand flash ,數(shù)據(jù)接口支持1bit、4bit和8bit三種。eMMC=Nand flash +閃存控制芯片+標(biāo)準(zhǔn)接口封裝,其內(nèi)部集成的閃存控制器具有讀寫(xiě)協(xié)議、擦寫(xiě)均衡、壞塊管理、ECC校驗(yàn)、電源管理、時(shí)鐘管理、數(shù)據(jù)存取等功能,極大降低了Nand-flash的使用難度。

圖5 eMMC架構(gòu)
在嵌入式系統(tǒng)中,F(xiàn)lash除了用來(lái)存放數(shù)據(jù),還有一個(gè)重要的功能就是存放uboot啟動(dòng)程序。一般來(lái)講,系統(tǒng)可以直接從Nor Flash啟動(dòng),而不能直接從NAND Flash啟動(dòng)。系統(tǒng)要從NAND Flash啟動(dòng),則需要先將NAND Flash低4K的代碼拷貝到CPU內(nèi)部的SRAM中,然后從SRAM中驅(qū)動(dòng)。再將FLASH剩下的代碼拷貝到SDRAM中,從SDRAM開(kāi)始執(zhí)行main函數(shù),啟動(dòng)流程如下圖所示。

圖6 NAND Flash啟動(dòng)方式
一般來(lái)講,當(dāng)主控制所需搭配的存儲(chǔ)容量較低時(shí)(如256M、512M),通常選擇Nand flash。當(dāng)主控制所需搭配的存儲(chǔ)容量較高時(shí)(如4GB、8GB甚至32GB),選擇eMMC將更具性?xún)r(jià)比。
武漢萬(wàn)象奧科是國(guó)內(nèi)嵌入式軟硬件技術(shù)積累最全面的方案商之一, 作為Renesas、Microchip、芯馳、NXP、ST等原廠在國(guó)內(nèi)的重要技術(shù)合作伙伴,專(zhuān)注于嵌入式軟硬件產(chǎn)品的研發(fā)、定制、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)。


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