Agitek小編今天帶您學習 給西安電子科技大學實驗室提供的方案:泰克Power整體測試方案。 Power測試方案 功率器件測試 —— 碳化硅、氮化鎵器件的全橋測試 (一)• IsoVu™ 技術是一種全新的高電壓隔離探測解決方案,提供了精確和可重復的結果將測試設備與示波器完全電流隔離。 •唯一同時提供杰出的帶寬、動態范圍、共模范圍和共模抑制比的測量系統 。 ◦ 800M、1 GHz帶寬 ◦ 60000V共模電壓 ◦ 高達2500V差分電壓 ◦ 杰出的共模抑制比 ▪ DC ~ 100 MHz:1000000:1 (120 dB) CMRR ▪ 1 GHz時10,000:1 (80 dB) CMRR • THDP0200*2測量上、下管Vge,Vce • TPP1000*1(標配)測量下管Vge, TPP0850*1測量下管Vce • TRCP300/600/3000電流探頭 • AFG31051*1 • 2200-20-5電源*1,提供驅動供電 • 600V/1500V/3000VDC電源*1,提供 Vbus供電 • 器件測試箱 • SIC的器件需要選擇 • TIVH08*1測量上管Vge。 • GAN的器件需要選擇 • TIVM1*1測量上管Vge。 板級測試 —— 開關損耗分析 測試難點: 1. 如何針對導通壓降和關斷 電壓的大動態范圍的開關 信號進行測試? 2. 由于開關點震蕩的存在導 致開關周期無法準確判斷? 開點損耗+閉點損耗+導通損耗 板級測試 —— SOA安全工作區 • 更直觀的觀察到不同 負載下的功率器件是 否會出現超標 • 邊界條件可設 , 可存 、可調出 板級測試 —— 開關損耗分析 磁性器件的磁特性分析 計算磁性器件的功耗 • 磁特性(BH曲線 ) • 電感 • I Vs Int V • 磁損耗 • 得到總的磁損耗 • 鐵芯損耗 • 銅損 • 能測試多個次級繞組 Power測試方案 板級測試——環路測試、電源抑制比、阻抗測試測試 環路響應 DC-DC 變換器的詳細原理圖。由R1 和R2 所分擔的輸出電壓被反饋到誤差放大器,誤差放大器將反饋電壓與穩定的參考 電壓Vref 進行比較,輸出與這兩個電壓之差成比例的輸出電壓。脈寬調制器 (PWM) 提供的脈沖其占空比由誤差放大器的 輸出電壓決定, 此脈沖可以接通或斷開MOSFET 開關。當反饋電壓低于Vref 時,反饋系統會延長周期Ton 以提高輸出電 壓。當反饋電壓高于Vref 時,反饋系統會縮短周期Ton 以降低輸出電壓。這樣就能獲得一個穩定的DC 輸出電壓。C1、C2、 C3、R3、R4以及R1 和R2等元器件共同調節誤差放大器的增益和相位時延,從而提高反饋環路的穩定度 (反饋補償)Power測試方案 整體性能評價——EMI測試 全功能 EMC 測試系統: • 輻射騷擾 • 傳導騷擾 • EMI 診斷 快速、簡便易用: • 故障定向的準峰值加撥 • 測試向導內置通用EMI標準 高精度: • 預定義測試附件的增益與衰減 • 隨機噪聲比較 自動生成測試報告: • PDF, RTF 等格式報告 如需了解更多,歡迎您了解西安安泰測試設備有限公司,訪問安泰測試網。
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