東芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊，助力實現尺寸更小，效率更高的工業設備

發布時間：2022-1-27 10:19 發布者：eechina

關鍵詞： SiC , MOSFET , MG600Q2YMS3 , MG400V2YMS3

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款全新碳化硅（SiC）MOSFET雙模塊---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者額定電壓為1200V，額定漏極電流為600A；后者額定電壓為1700V，額定漏極電流為400A。作為東芝首批具有上述額定電壓的產品，它們與之前發布的MG800FXF2YMS3共同組成了1200V、1700V和3300V器件產品線。

這兩種新模塊在安裝方式上兼容廣泛使用的硅（Si）IGBT模塊。兩種新模塊的低損耗特性滿足了工業設備對提高效率、減小尺寸的需求，例如用于軌道車輛的轉換器和逆變器以及可再生能源發電系統。

 應用：
- 用于軌道車輛的逆變器和轉換器
- 可再生能源發電系統
- 電機控制設備
- 高頻DC-DC轉換器

 特性：
- 安裝方式兼容Si IGBT模塊
- 損耗低于Si IGBT模塊
MG600Q2YMS3
VDS(on)sense＝0.9V（典型值）@ID＝600A，Tch＝25℃
Eon＝25mJ（典型值），Eoff＝28mJ（典型值）@VDS＝600V，ID＝600A，Tch＝150℃
MG400V2YMS3
VDS(on)sense＝0.8V（典型值）@ID＝400A，Tch＝25℃
Eon＝28mJ（典型值），Eoff＝27mJ（典型值）@VDS＝900V，ID＝400A，Tch＝150℃
- 內置NTC熱敏電阻

 主要規格：
（除非另有說明，@Tc＝25℃）

器件型號			MG600Q2YMS3	MG400V2YMS3
封裝			2-153A1A
絕對最大額定值	漏極-源極電壓VDSS（V）		1200	1700
	柵極-源極電壓VGSS（V）		-2.5	-2.5
	漏極電流（直流）ID（A）		600	400
	漏極電流（脈沖）IDP（A）		1200	800
	結溫Tch（℃）		150	150
	隔離電壓Visol（Vrms）		4000	4000
電氣特性	漏極-源極導通電壓（感應）	@VGS＝+20V，	0.9	0.8
	VDS(on)sense典型值（V）	Tch＝25℃	@ID＝600A	@ID＝400A
	源極-漏極導通電壓（感應）	@VGS＝+20V，	0.8	0.8
	VSD(on)sense典型值（V）	Tch＝25℃	@IS＝600A	@IS＝400A
	源極-漏極關斷電壓（感應）	@VGS＝-6V，	1.6	1.6
	VSD(off)sense典型值（V）	Tch＝25℃	@IS＝600A	@IS＝400A
	開通損耗	@Tch＝150℃	25	28
	Eon典型值（mJ）		@VDS＝600V，	@VDS＝900V，
			ID＝600A	ID＝400A
	關斷損耗	@Tch＝150℃	28	27
	Eoff典型值（mJ）		@VDS＝600V，	@VDS＝900V，
			ID＝600A	ID＝400A
熱敏電阻特性	額定NTC電阻 R典型值（kΩ）		5	5
熱敏電阻特性	NTC B值 B典型值（K）	@TNTC＝25℃-150℃	3375	3375

如需了解相關新產品的更多信息，請訪問以下網址：
MG600Q2YMS3
https://toshiba-semicon-storage. ... il.MG600Q2YMS3.html

MG400V2YMS3
https://toshiba-semicon-storage. ... il.MG400V2YMS3.html

如需了解東芝碳化硅功率器件的更多信息，請訪問以下網址：
碳化硅功率器件
https://toshiba-semicon-storage. ... -power-devices.html

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