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下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快，駕駛距離更遠的電動汽車普及提前三年來到，并減少20%道路二氧化碳排放 氮化鎵 (GaN) 功率芯片的行業領導者 Navitas Semiconductor（納斯達克代碼：NVTS）宣布開設新的電動汽車 (EV) 設計中心，進一步擴展到更高功率的氮化鎵市場。與傳統的硅解決方案相比，基于氮化鎵的車載充電器 (OBC) 的充電速度估計快 3 倍，節能高達 70%。據估計，氮化鎵OBC、DC-DC 轉換器和牽引逆變器將有望延長電動汽車續航里程，或將電池成本降低 5%，和原先使用硅芯片相比，氮化鎵功率芯片有望加速全球 EV 的普及提前三年來到。據估計，到 2050 年，將電動汽車升級到使用GaN之后，道路部門的二氧化碳排放量每年有望減少 20%，這也是《巴黎協定》的減排目標。 
氮化鎵 (GaN) 器件是功率半導體技術的前沿，其運行速度比傳統硅芯片快 20 倍。 Navitas 的 GaNFast™ 功率芯片集成了 GaN 電源、GaN 驅動、保護和控制。高速和高效率已成為節能、高功率密度、低成本和更高可靠性的新行業標準。 新的設計中心位于中國上海，擁有一支經驗豐富的世界級電力系統設計師團隊，他們在電氣、熱力和機械設計、軟件開發以及完整的仿真和原型設計能力方面具有全面的能力。新團隊將在全球范圍內為電動汽車客戶提供支持，從概念到原型，再到全面認證和大規模生產。 著名電動汽車行業專家、上海設計中心新任高級總監孫浩先生表示：“設計中心將為全功能、可產品化的電動汽車動力系統開發原理圖、布局和固件。 Navitas 將與 OBC、DC-DC 和牽引系統公司合作，創建具有最高功率密度和最高效率的創新世界級解決方案，以推動 GaN 進入主流電動汽車。” 為 EV 應用量身定制的高功率 650V GaN IC 已于2021年 12 月向 EV 客戶提供樣品。在最近的小米產投日活動上，納微展示了 6.6kW OBC 概念模型，后在CES 上也進行了展示。 “納微半導體電動汽車團隊在提供動力系統方面擁有豐富的人才和成熟的經驗，”納微半導體副總裁兼中國區總經理查瑩杰表示。 “對于 GaN 來說，電動汽車是一個令人興奮的擴展市場，估計每輛 EV 內，氮化鎵的潛在價值為 250 美元。逐個市場來看，Navitas 正在快速推進到更高功率的應用，例如電動汽車、數據中心和太陽能。” 制造氮化鎵功率芯片的二氧化碳排放量比硅芯片低 10 倍。考慮到效率以及材料尺寸和重量優勢，每個出貨的納微氮化鎵功率芯片相比硅可以節省大約 4 公斤的二氧化碳。總體而言，到 2050 年GaN 有望解決每年 2.6 Gton 的二氧化碳排放量減少問題。 |
