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接觸電阻就是電流流過(guò)閉合的接觸點(diǎn)對(duì)時(shí)的電阻。這類測(cè)量是在諸如連接器、繼電器和開(kāi)關(guān)等元件上進(jìn)行的。接觸電阻一般非常小，其范圍在微歐姆到幾個(gè)歐姆之間。 接觸電阻測(cè)試方法：采用吉時(shí)利高精度多用表結(jié)合四線法，以避免在測(cè)量結(jié)果中計(jì)入引線電阻。將電流的端子接到該接點(diǎn)對(duì)的兩端。取樣 (Sense) 端子則要連到距離該接點(diǎn)兩端電壓降最近的地方。其目的是避免在測(cè)量結(jié)果中計(jì)入測(cè)試引線和體積電阻 (bulk resistance) 產(chǎn)生的電壓降。 注：體積電阻就是假定該接點(diǎn)為一塊具有相同幾何尺寸的金屬實(shí)體，而使其實(shí)際接觸區(qū)域的電阻為零時(shí)， 整個(gè)接點(diǎn)所具有的電阻。 如何對(duì)測(cè)試器件進(jìn)行四線連接取決于器件的形式，在某些情況下，焊接可能是不可避免的。被測(cè)接點(diǎn)上的每個(gè)連接點(diǎn)都可能產(chǎn)生熱電動(dòng)勢(shì)。然而，這種熱電動(dòng)勢(shì)可以通過(guò)吉時(shí)利高精度萬(wàn)用表的電流反向或偏置補(bǔ)償方法來(lái)補(bǔ)償。 接觸電阻測(cè)試難點(diǎn)及應(yīng)對(duì)方案： 1. 測(cè)試難點(diǎn)一：通常，測(cè)試接點(diǎn)電阻的目的是確定接觸點(diǎn)氧化或其它表面薄膜積累是否增加了被測(cè)器件的電阻。即使在極短的時(shí)間內(nèi)，器件兩端的電壓過(guò)高也會(huì)破壞這種氧化層或薄膜，從而破壞測(cè)試的有效性。擊穿薄膜所需要的電壓電平通常在30mV到100mV的范圍內(nèi)。 2. 測(cè)試難點(diǎn)二：在測(cè)試時(shí)流過(guò)接點(diǎn)的電流過(guò)大也能使接觸區(qū)域發(fā)生細(xì)微的物理變化。電流產(chǎn)生的熱量能夠使接觸點(diǎn)及其周圍區(qū)域變軟或熔解。結(jié)果， 接點(diǎn)面積增大，并導(dǎo)致其電阻降低。 解決方案：為了避免這類問(wèn)題，通常采用干電路的方法來(lái)進(jìn)行接點(diǎn)電阻測(cè)試。干電路就是將其電壓和電流限制到不能引起接觸結(jié)點(diǎn)的物理和電學(xué)狀態(tài)發(fā)生變化電平的電路。一般地說(shuō)，這就意味著其開(kāi)路電壓20mV或更低，短路電流100mA或更低。由于所使用的測(cè)試電流很低，所以就需要非常靈敏的電壓表來(lái)測(cè)量這種通常在微伏范圍的電壓降。 注：由于其它的測(cè)試方法可能會(huì)引起接點(diǎn)發(fā)生物理或電學(xué)的變化，所以對(duì)器件的干電路測(cè)量應(yīng)當(dāng)在其它的電學(xué)測(cè)試之前進(jìn)行。 吉時(shí)利2010型數(shù)字多用表、DMM7510數(shù)字萬(wàn)用表、 2750型和3706A數(shù)字多用表數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)進(jìn)行四線接觸電阻測(cè)量時(shí)，靈敏度高，能夠采用偏置補(bǔ)償模式自動(dòng)補(bǔ)償取樣電路中的熱電勢(shì)偏置，并內(nèi)置干電路測(cè)量功能，可滿足大多數(shù)應(yīng)用的接觸電阻測(cè)量工作。 安泰測(cè)試提供專業(yè)的測(cè)量洞見(jiàn)信息，旨在幫助您提高績(jī)效以及將各種可能性轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實(shí)。幫助您測(cè)試和測(cè)量各種解決方案，從而突破復(fù)雜性的層層壁壘，加快您的全局創(chuàng)新步伐。 |
