大聯(lián)大旗下世平推出基于安森美（onsemi）NCP51561高壓隔離驅(qū)動(dòng)器的高頻小型化工業(yè)電源方案。
圖示1-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的高頻小型化工業(yè)電源方案的展示板圖 在“雙碳”話題愈演愈烈的當(dāng)下，以GaN氮化鎵/SiC碳化硅為材料的功率半導(dǎo)體器件進(jìn)入了加速發(fā)展車(chē)道。GaN和SiC被稱(chēng)為“寬帶隙半導(dǎo)體(WBG)”，具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優(yōu)異特性，可以幫助產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)效率。據(jù)業(yè)內(nèi)人士介紹，GaN是最接近理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件，能夠以非常高的效能和高功率密度來(lái)實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換，輕松滿足服務(wù)器和云端數(shù)據(jù)中心最嚴(yán)格的80+規(guī)范或USB PD外部適配器的歐盟行為準(zhǔn)則Tier 2標(biāo)準(zhǔn)。基于此背景，大聯(lián)大世平推出基于onsemi NCP51561的高頻小型化工業(yè)電源方案。
圖示2-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的高頻小型化工業(yè)電源方案的場(chǎng)景應(yīng)用圖 NCP51561是onsemi推出的一款高壓隔離型雙通道門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，具有4.5A源電流和9A灌電流峰值能力。該新器件適用于硅功率MOSFET和基于SiC的MOSFET器件的快速開(kāi)關(guān)，提供短且匹配的傳播延遲。
圖示3-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的高頻小型化工業(yè)電源方案的方塊圖 此外，NCP51561還具有兩個(gè)獨(dú)立的5kVRMS（UL1577級(jí)）電隔離門(mén)極驅(qū)動(dòng)器通道，可用作兩個(gè)下橋、兩個(gè)上橋開(kāi)關(guān)或一個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器，具備可編程的死區(qū)時(shí)間。不僅如此，器件的一個(gè)使能引腳能同時(shí)關(guān)斷兩個(gè)輸出，且NCP51561提供其他重要的保護(hù)功能，如用于兩個(gè)門(mén)極驅(qū)動(dòng)器的獨(dú)立欠壓鎖定（UVLO）和使能功能。得益于這些出色的功能，可有效提高小型化工業(yè)電源的能源轉(zhuǎn)換效率。 核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)： 兩個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)器擁有獨(dú)立UVLO保護(hù)； 輸出電壓為6.5V至30V，具有5V、8V和17V UVLO閾值； 4A峰值電流源，8A峰值電流吸收； 150V/ns dV/dt抗擾度； 36 ns典型傳遞延遲； 8 ns最大延遲匹配； 可編程輸入邏輯； 通過(guò)ANB的單或雙輸入模式； 可編程死區(qū)時(shí)間； Enable功能； 隔離與安全： 從輸入到每個(gè)輸出的5kVRMS電流隔離和輸出通道之間的1200V峰值差分電壓； 1200V工作電壓（根據(jù)VDE0884−11要求）。 方案規(guī)格： 雙低側(cè)、雙高側(cè)或半橋驅(qū)動(dòng)器； 輸出電源電壓為6.5V至30V，具有5V、8V和17V UVLO閾值； 4A峰值電流源，8A峰值電流吸收。 |
