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第三代波束成形器IC實現高效率且低成本的相控陣列無線電，并擴展信號范圍，為5G無線與固定無線接入釋放更強大性能 瑞薩電子集團（TSE：6723）今日宣布，推出兩款全新雙極化毫米波器件——F5288和F5268 IC，以拓展其5G波束成形器IC產品家族。新產品面向5G和寬帶無線應用2 x 2天線架構進行優化，在n257、n258和n261頻段打造卓越性能。高度集成的F5288和F5268發射器/接收器（8T8R）芯片組采用5.1mm x 5.1mm BGA小尺寸封裝，具備業界超高的硅基Tx輸出功率——每通道提供超過15.5dBm的線性輸出功率（注1）。通過這一組合，瑞薩方案實現極具成本效益的無線電設計，為廣域網、小型基站和宏基站，以及CPE、固定無線接入（FWA）節點，和各類其它應用的無線基礎設施擴展了信號覆蓋范圍。 
全新F5288和F5268 IC采用獨特的動態陣列功率（DAP）技術，可在10至16dBm的可編程線性輸出功率范圍內高效運行，使得第三代IC更容易滿足移動和固定無線應用場景中對多種輸出功率等級的要求。這種靈活性讓通信領域的客戶能夠在不同應用中只需微調其天線陣列設計即可使用，從而節省設計時間。 瑞薩電子射頻通信、工業與通信事業部副總裁Naveen Yanduru表示：“無論在城市還是鄉村，移動與固定無線網絡正在向5G毫米波技術轉變。因此，獲得足夠的信號覆蓋范圍，或者說解決當下信號覆蓋不足仍然是最大的挑戰。瑞薩全新波束成形器IC改變了這一不斷發展的市場游戲規則，可提供具備高輸出功率的小型集成波束成形解決方案，使得通信領域的客戶能夠為廣域無線應用實現經濟高效的基站和FWA設計。” 關于F5288和F5268 5G毫米波波束成形IC 瑞薩第三代毫米波波束成形器IC滿足5G系統所需的所有波束成形功能，同時達成基于硅基技術的高效超高線性的射頻輸出功率性能。 全新產品雙極化8通道架構提供高度對稱和超低損耗的天線路由網絡，可提升整體天線效率并節省電路板成本。裸片封裝工藝允許在電路板上做更為有效的熱管理，可以從IC背面改善散熱。此外，瑞薩設計的封裝引腳簡化了電路板設計，降低了設計難度和風險。較低復雜度的PCB設計會采用盡可能少的板層數，這不但可以節省電路板成本，也可加快產品上市速度。 F5288和F5268 IC還采用瑞薩多項前沿技術以增強陣列性能。動態陣列功率技術可從容高效地呈現不同級別的輸出功率。ArraySense技術具有全面的片上傳感器網絡，能夠讓用戶在陣列工作時監測IC性能，并能實時做出關鍵修正。RapidBeam先進的數字控制技術可以同時針對多個波束成形器IC進行同步和異步控制，實現超快速波束控制操作。 產品其它特性包括 支持26.5-29.5GHz（F5288）和24.25-27.5GHz（F5268）頻段 先進的溫度補償技術，大幅降低因溫度變化而導致的RF性能惡化影響 前沿相位與增益控制技術，包括具有真正6位分辨率的360°相位控制范圍和最大31.5dB, 步進0.5dB精度的增益控制 優化的Rx線性度模式，為接收機鏈路帶來額外靈活性 室溫下的Rx噪聲系數低至4.5dB，在高達95oC的溫度下低于5.5dB 為進一步簡化系統設計，客戶可充分利用瑞薩新型基站天線前端成功產品組合，其采用新型F5288和F5268波束形成器IC，以及瑞薩F5728上/下變頻器、8V97003寬帶毫米波合成器，和各種PMIC器件。瑞薩現已推出超過250款基于互補的模擬、電源、時鐘和嵌入式處理產品的組合方案，適用于各種應用和終端產品，旨在幫助客戶面向不同應用構建易于使用的架構，簡化設計過程，并顯著降低設計風險。更多有關該產品和其它瑞薩解決方案的信息，請訪問：renesas.com/win。 供貨信息 F5288和F5268波束成形器IC現已上市。更多信息，請訪問：renesas.com/5G。 (注1）線性輸出功率定義為：采用具有120kHz子載波間隔和11.7dB PAR的400MHz 5GNR CP-OFDM波形，在EVM<3%時的水平。 |
