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同步整流芯片 JSTR9110采用多樣化VCC供電技術(shù)，在不需要輔助繞組供電的情況下，能保證AC-DC控制器在多種輸出電壓條件下，芯片VCC供電都會(huì)不出現(xiàn)欠壓。同步整流芯片 JSTR9110當(dāng)VCC降低到VUVLO2以下時(shí)，電路處于睡眠模式，MOSFET不會(huì)被打開(kāi)。在系統(tǒng)上電后的一段時(shí)間，由于VCC電壓未達(dá)到VUVLO1，功率MOSFET不會(huì)被打開(kāi)，完全由功率MOSFET的體二極管進(jìn)行續(xù)流，直到VCC電壓超過(guò)VUVLO1，芯片開(kāi)始正常開(kāi)關(guān)。 同步整流芯片 JSTR9110特性： 1. 兼容DCM、CCM和QR反激轉(zhuǎn)換器 2. 輸出電壓直接供給VCC 3. 150uA低靜態(tài)電流 4. 4.5A驅(qū)動(dòng)電流保證MOSFET快速關(guān)斷 5. 支持最大200kHz 開(kāi)關(guān)頻率 6. 支持低輸出電壓工作 7. 采用SOP8封裝形式 同步整流芯片 JSTR9110管腳描述： 1.2腳 S 芯片接地管腳（GND） 3 腳VCC電源，VCC 和 GND 之間接電容 4 腳VO檢測(cè)輸出電壓，給 VCC 供電 5、6、7、8 腳D 漏極電壓檢測(cè)腳 同步整流芯片 JSTR9110應(yīng)用范圍： l 移動(dòng)設(shè)備充電器 l 適配器 l 反激轉(zhuǎn)換器 同步整流芯片JSTR9110能夠支持DCM、CCM和Quasi-Resonant反激轉(zhuǎn)換器，能夠提高系統(tǒng)的效率。次級(jí)邊導(dǎo)通時(shí)，電流首先通過(guò)功率MOSFET的體二極管，電路檢測(cè)到功率MOSFET的漏端電壓比其源端電壓低約0.26V時(shí)，立即打開(kāi)功率MOSFET，降低系統(tǒng)的導(dǎo)通損耗。當(dāng)Ton超過(guò)約400ns時(shí)，功率MOSFET驅(qū)動(dòng)的邏輯上拉會(huì)關(guān)閉，而后線性驅(qū)動(dòng)器介入工作。 當(dāng)通過(guò)功率MOSFET的電流下降使得漏端電壓比源端電壓低約40mV時(shí)，線性驅(qū)動(dòng)器便會(huì)通過(guò)降低MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓VDRIVER使MOSFET的阻抗增大，從而將Drain端電壓維持在-40mV左右。當(dāng)電流接近0時(shí)，線性驅(qū)動(dòng)器的調(diào)節(jié)無(wú)法將Drain電壓繼續(xù)維持在-40mV，Drain電壓會(huì)繼續(xù)上升。當(dāng)其電壓達(dá)到-12mV左右時(shí)，芯片會(huì)立即通過(guò)邏輯將功率MOSFET完全關(guān)斷。若DRV導(dǎo)通時(shí)，VDS>3V則DRV強(qiáng)制關(guān)斷MOSFET。功率MOSFET關(guān)閉后，同步整流芯片JSTR9110需要檢測(cè)到芯片內(nèi)部SR端電壓達(dá)到約6V以上，且持續(xù)時(shí)間大于0.3us后，才認(rèn)為是一次有效的原邊導(dǎo)通；而后芯片內(nèi)部SR下降到-0.26V后立刻打開(kāi)MOS管；如未檢測(cè)到有效的原邊導(dǎo)通，但芯片內(nèi)部SR仍低于-0.26V，則需要等待大約2us后才打開(kāi)MOS管,這樣可以在一定程度上避免因諧振干擾造成誤動(dòng)作。 |
