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碳化硅功率器件設計及方案商派恩杰半導體（杭州）有限公司（以下簡稱派恩杰）官方消息稱，繼創東方投資、天際資本后再獲湖杉資本數千萬Pre-A輪融資，本次融資資金將用于更高電壓平臺功率器件產品的研發和全球市場的布局。 湖杉資本是一家半導體產業鏈的投資機構，專注于半導體技術驅動下的早中期及成長期產業鏈投資機會。派恩杰則是快速發展的第三代半導體功率器件設計及方案商，無論產品技術，還是市場布局，均具備與國際大廠一較高下的實力。派恩杰創始人黃興博士表示：“湖杉資本資金的加持，對于派恩杰半導體來說如虎添翼，能幫助我們加快新產品研發速度以及全球一線客戶Design in速度，保持技術領先優勢，擴大市場影響力。” 派恩杰的SiC功率器件技術傳承至IGBT發明者Dr. B. Jayant Baliga和發射極關斷晶閘管（ETO）的發明者Dr. Alex Q. Huang，開模量產則是由全球第一家提供150mm SiC工藝的代工廠X-FAB提供，產品品質及供貨均有保障。目前，在海內外已有一線客戶導入使用。 據公開資料顯示，派恩杰已量產50余款SiC SBD、SiC MOSFET功率器件及模塊，廣泛應用于新能源、智能電網、物聯網、電子電力等領域，具體包括新能源汽車儲能/充電樁、大數據中心、超級計算與區塊鏈、5G 通 信基站、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器。其SiC MOSFET 650V-1700V電壓平臺產品齊全，HDFM 值優于行業水平50%以上，短路能力及門極抗干擾能力達到國際一流水平，柵氧可靠性達到車規級標準，比國內同行領先兩代以上(3-5年)。 雖然SiC行業契合國家新基建戰略，發展迅速，但前10位尚無中國企業。對此，湖杉資本投資總監孫震先生說：“化合物半導體SiC和GaN是第三代半導體材料的代表，也是未來能源、工業、智能制造等重要領域的基礎。對于我國來說，SiC戰略地位十分重要，而現有SiC器件市場被國外企業占據，國產SiC產品肩負著彎道超車、擺脫該領域卡脖子技術限制的國家使命。值得慶幸的是，SiC器件市場空間巨大，目前國產SiC材料公司已經取得了較大的成果。在SiC功率器件方面，派恩杰憑借技術及經驗優勢，也已經走在了國內同類公司的前列，即使是與國際巨頭相比，產品布局和器件性能也不遑多讓。據我們了解，2020年初，派恩杰就開發驗證了1700V工業級 SiC MOSFET產品，和國際巨頭節奏同步。2021年初，成功開發驗證了1200V大電流車規級的SiC MOSFET產品。派恩杰擁有關鍵的核心技術，和國內競爭對手相比，產品有先發優勢，在供應鏈方面也有戰略布局，產品系列全面，成立三年時間就規模化應用于汽車、新能源。綜上，湖杉資本看好派恩杰公司在SiC器件領域國內的領先地位，也會堅定持續支持公司發展。” 對于國內的SiC功率器件公司仍處于技術研發階段，尚未形成銷售規模。派恩杰市場與銷售副總裁高治廷先生表示：“這對于派恩杰來說既是挑戰又是機遇，派恩杰在亞洲、歐洲和北美都已經設有營銷中心，我們的市場及銷售團隊是來自Tier 1 歐美、日本原廠的高級別資深市場及銷售團隊。我們正在加快建立全球營銷網絡，爭取成為在海內外市場最大份額的中國SiC 品牌。湖杉資本的加入對于我們加速全球銷售網絡覆蓋提供了強有力的后盾。” |
