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～共178款產品，有助眾多應用實現小型化、更低功耗和更高可靠性～ ROHM（總部位于日本京都市）開發出小型高效的肖特基勢壘二極管（以下簡稱SBD※1）“RBR系列”共12款產品，“RBQ系列”共12款產品，這些產品非常適用于車載設備、工業設備和消費電子設備等各種電路的整流和保護。至此，這兩個系列的產品陣容中已達178款產品。 
在各種應用產品中，通常使用二極管來實現電路整流和保護。隨著各種應用產品對更低功耗的要求，比其他二極管效率更高的SBD正越來越多地被采用。另一方面，如果為了追求效率而降低VF，則存在此消彼長關系的IR將會升高，熱失控的風險會隨之增加，因此在設計電路的過程中，選擇SBD時需要很好地權衡VF和IR，這一點很重要。 在這種背景下，ROHM追求低VF特性和低IR特性之間的平衡，并進一步加強了SBD小型化產品陣容，以車載市場為中心創造了非常優異的業績。此次，ROHM針對已經頗具量產成果的RBR和RBQ系列，面向大電流、高電壓和小型化，進一步擴大了產品陣容，從而可以在更廣泛的應用中實現整流和保護工作。 通過采用新工藝，RBR系列和RBQ系列的芯片性能都得到很大提升，與ROHM以往產品相比，效率提高了25%。 不僅如此，RBR系列具有出色的低VF（正向電壓）※2特性（該特性是提高效率的關鍵），并實現了低損耗。該系列產品非常適用于要求提高效率的應用，比如車載設備中的車載充電器，以及消費電子設備中的筆記本電腦等。此次又新增了12款小型封裝產品，還將有助于削減安裝面積（比以往產品少42%）。 而RBQ系列則具有出色的低IR（反向電流）※3特性，可在高溫環境下穩定工作，尤其是可降低SBD可能會發生的熱失控※4風險。非常適用于需要在高溫環境中工作的汽車動力系統和工業設備的高電壓電源等應用。為滿足更高耐壓的需求，此次又新增了12款100V產品。此外，RBR系列和RBQ系列均符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※5，可確保高可靠性。 這兩個系列的新產品從2021年6月開始已經全部投入量產（樣品價格：50日元～/個，不含稅）。 今后，ROHM將繼續努力提高從低耐壓到高耐壓半導體元器件的品質，并繼續加強具有ROHM特色的產品陣容，為應用產品進一步實現小型化和更低功耗貢獻力量。
＜特點＞ 通過采用新工藝，RBR和RBQ系列與相同尺寸的ROHM以往產品相比，效率提高了25%，這兩個系列的產品分別具有以下特點： 1. RBR系列 1-1. 具有低VF特性，損耗更低 RBR系列不僅保持了與低VF特性存在此消彼長關系的低IR特性，與相同尺寸的ROHM以往產品相比，VF特性降低約25%，損耗更低。因此，不僅非常適用于要求更高效率的車載充電器等車載設備，還非常適用于要求更節能的筆記本電腦等消費電子設備。 此外，與同等性能的產品相比，RBR系列還可實現芯片的小型化，因此受芯片尺寸影響的封裝也可以采用更小型的封裝形式。例如，如果以往產品尺寸為3.5mm×1.6mm（PMDU封裝），則通過將其替換為2.5mm×1.3mm尺寸（PMDE封裝）的產品，可使安裝面積減少約42%。
1-2.新增小型封裝，產品陣容更豐富 在RBR系列中，此次新增了12款 2.5mm×1.3mm的PMDE封裝產品（消費電子和車載領域各6款）。至此，該系列已擁有共140款產品的豐富產品陣容（耐壓：30V、40V、60V；電流：1A～40A），進一步擴大了在車載設備和消費電子設備領域的應用范圍。
2. RBQ系列 2-1. 具有低IR特性，可在高溫環境下穩定工作 RBQ系列采用ROHM自有的勢壘形成技術，實現了非常適合開關電源的VF特性和IR特性之間的平衡。與ROHM以往產品相比，反向功率損耗降低了60%，可進一步降低高溫環境下熱失控的風險。因此，該系列產品非常適用于需要在高溫環境中工作的汽車動力系統和工業設備用的電源等應用。
2-2. 新增100V產品，產品陣容更豐富 在RBQ系列中，此次新增了12款100V產品（消費電子和車載領域各6款）。至此，包括共陰極型和單芯片型產品在內，該系列已擁有共38款產品的豐富產品陣容（耐壓：45V、65V、100V；電流：10A～30A）。
＜支持應用例＞ ■ RBR系列 ・ 車載充電器 ・ LED前照燈 ・ 汽車配件 ・ 筆記本電腦 ■ RBQ系列 ・ 工業設備電源 ・ 音響 ・ 筆記本電腦 ・ XEV ・ 引擎ECU ・ AC/DC、DC/DC電路的二次側整流 ＜術語解說＞ ※1）肖特基勢壘二極管（Schottky Barrier Diode：SBD） 利用金屬與和半導體接觸形成肖特基結、從而獲得整流性能（二極管特性）的二極管。沒有少數載流子存儲效應，具有優異的高速特性。 ※2）正向電壓： VF（Forward Voltage） 當電流沿從＋到－的方向流動時產生的電壓降。該值越低，效率越高。 ※3）反向電流： IR（Reverse Current） 施加反向電壓時產生的反向電流。該值越低，功耗（反向功耗）越小。 ※4）熱失控 當向二極管施加反向電壓時，內部的芯片發熱量超過了封裝的散熱量，導致IR值增加，最終造成損壞的現象稱為“熱失控”。IR值高的SBD尤其容易發生熱失控，因此在設計電路時需要格外注意。 ※5）汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101 AEC是Automotive Electronics Council的縮寫，是大型汽車制造商和大型電子元器件制造商聯手制定的針對汽車電子元器件的可靠性標準。Q101是有關分立半導體元器件（晶體管、二極管等）的標準。 |
