EPC推出第二代eGaN FET的最新成員:EPC2014

發(fā)布時間：2011-9-25 13:34 發(fā)布者：1046235000

關(guān)鍵詞： eGaN , EPC , EPC2014 , FET

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(www.EPC-co.com)宣布推出第二代增強(qiáng)性能氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN FET）系列中的最新成員——EPC2014。EPC2014具有環(huán)保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質(zhì)限制)條例要求。
　　EPC2014 FET是一款面積為1.87平方毫米的40VDS及10V器件，當(dāng)柵極電壓為5V 時，RDS(ON)最大值是16mΩ。與前代EPC1014器件相比，新一代EPC2014器件具有明顯更高的性能優(yōu)勢，其最大結(jié)溫額定值提高至150℃，其性能在更低柵極電壓時也得到全面增強(qiáng)。
　　與具有相同導(dǎo)通電阻的先進(jìn)硅功率MOSFET相比，EPC2014體積小很多，而開關(guān)性能卻高出許多倍。受益于eGaN FET性能的應(yīng)用包括高速DC/DC電源、負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器、D類音頻放大器、硬開關(guān)和高頻電路。
　　“除了性能方面增強(qiáng)了，新一代增強(qiáng)型氮化鎵場效應(yīng)晶體管-EPC2014是不含鉛、無鹵化物及符合RoHS(有害物質(zhì)限制)條例的要求。”共同創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Alex Lidow表示。

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