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PLC更廣為人知的是在電子技術領域，它是可編程邏輯控制器（Programmable Logic Controller）的簡稱。在光通信技術領域，PLC是平面光路（Planar Lightwave Circuit）的簡稱，它是基于集成光學技術制備的各種光波導結構，在技術上，可實現的功能性器件有方向耦合器DC、Y分支器、多模干涉耦合器MMI、陣列波導光柵AWG、光學梳狀濾波器ITL、馬赫-增德爾MZ電光調制器、熱光可調衰減器TO-VOA、熱光開關TO-SW等。 在光通信產業界，得到廣泛應用的PLC器件主要有光分路器、AWG、MZ電光調制器、TO-VOA等，其中光分路器是基于Y分支串并聯實現的分光器件，比如一個1×16端口的光分路器，需要15個Y分支器。AWG是一種1×N端口器件，它可以將輸入的數十個波長分開到不同輸出端口。基于鈮酸鋰光波導制備的MZ調制器，是目前最主流的調制器方案；而硅光調制器技術業已發展成熟，成為50G以上高速調制器的首選方案。基于PLC技術的TO-VOA與AWG結合，構成具備信道均衡功能的波分復用/解復用器VMUX模塊。 基于PLC技術、得到廣泛應用的光通信器件有多種，但是在產業界，PLC通常指的是光分路器，它是一種在FTTH網絡中應用最多的光無源器件。在2000年的互聯網泡沫之后，光通信產業進入蕭條期；2004年左右，在應用場景還沒出現的情況下，日本率先將FTTH作為基礎設施進行投資建設；2008年后隨著中國的加入，FTTH建設在2012年左右達到高峰。FTTH通常采用無源光網絡PON，其核心就是PLC光分路器，在各種商業樓宇和住宅中被廣泛敷設。在生活體驗中，離我們最近的就是，入戶調制解調器的“貓”尾巴，由早期的雙絞線升級至目前的光纖跳線，就是引自PLC光分路器的一個端口，光纖入戶通常能支持100-200M的網速，這比電纜所能支持的4M傳輸速率高得多。 光分路器(PLC)制作工藝大全 在光通信領域，PLC是平面光路的簡稱，它是基于集成光學技術制備的各種光波導結構，以實現某種功能性器件。光波導的制備工藝，主要有四種：離子交換，離子注入，化學氣相沉積和火焰水解法。 1) 離子交換 離子交換工藝的原理，是將含有A+離子的玻璃材料浸泡在含有B+離子的溶液中，利用離子會從高濃度區域向低濃度區域擴散的性質，以溶液中的B+離子將玻璃中的A+離子交換出來。由于含A+離子的玻璃材料比含B+離子的玻璃材料具有更高的折射率，從而在發生離子交換的區域獲得高折射率，作為光波導的芯層，未發生離子交換的區域作為光波導的包層，得到所需的光波導結構。 通過離子交換制備光波導的大致工藝流程如圖1所示： 1）通過蒸鍍或者濺射工藝，在玻璃基底上覆蓋一層掩模層； 2）通過光刻和腐蝕工藝，在掩膜層開出一個波導結構的窗口； 3）將制備好掩模層并開窗口的玻璃材料，浸泡在溶液中進行離子交換； 4）通過電場驅動，將分布在表層的交換離子驅動到一定深度，形成波導結構。 實際工藝中，為了更好的保證離子交換效果，上述3-4兩步需要同時進行，這有賴于具體的工藝設計。 
圖1. 離子交換制備光波導的工藝流程 為了提高離子交換效率并獲得良好的光波導特性，需要適當選擇兩種相互交換的離子，優化玻璃配方，控制溶液的濃度和溫度，并適當的施加電場。 2) 離子注入 離子注入是一種材料表面改性技術，屬于半導體行業中的一種標準加工工藝。離子注入光波導，是通過離子加速器將離子加速到數萬至數十萬電子伏特的高能量，轟擊基片材料表面，通過原子或者分子之間的相互作用，在材料表面引起損傷或者缺陷，改變折射率，形成光波導結構。 典型的離子注入制備光波導工藝如圖2所示，離子注入機通常由離子源、離子提取與預加速、磁分析器、后道加速器、電子掃描系統、離子注入腔及真空系統構成。在離子源的腔體中，通過氣體放電產生的離子；被離子提取器中的電極導出并進行預加速；磁分析器控制離子束的質量，獲得方向性較好的離子束；經后道加速后的離子束，在電子偏轉器的控制下，注入腔體中的樣品。
圖2. 離子注入制備光波導的工藝 放入離子注入腔體中的基片材料需要預處理，根據光波導圖形制備掩膜層，在離子注入之后，還需要后道處理，比如退火工藝，減小注入產生的材料缺陷對損耗的影響。 3) 化學氣相沉積 化學氣相沉積CVD工藝也是半導體行業中的一種標準工藝，CVD工藝制備光波導的流程如圖3所示，它是在硅基片（或者石英基片）上相繼沉積具有不同摻雜層的光波導層，比如芯層通過摻磷、硼來提高折射率，包層通過摻鍺來降低折射率。在沉積芯層之后與沉積上包層之前，需要通過光刻工藝來制備掩膜層，定義光波導圖形。在每一層沉積之后，都需要退火硬化工藝來增強沉積層的致密度和均勻性，并減小應力。
圖3. 化學氣相沉積制備光波導的工藝流程 4) 火焰水解法 火焰水解法FHD制備光波導的工藝流程與化學氣相沉積CVD類似，差別僅在生成薄膜層的工藝條件不同。CVD是將含有膜層元素的各種單質和化合物通入腔體，在一定溫度下發生化學反應，從而在襯底表面沉積所需薄膜層。FHD是將含有膜層元素的揮發性鹵化物如四氯化硅，以及含有各種摻雜元素如磷、硼、鍺的鹵化物，通入氣體燃燒器，在高溫火焰中與水發生化學反應，生成摻有各種雜質元素的二氧化硅薄膜層。 5) 工藝比較 離子交換和離子注入工藝，可以制備出低成本的光波導，但對波導橫截面形狀的控制稍差，主要用來制作光分路器，其中離子注入工藝的生產效率較離子交換高得多。CVD和FHD對波導橫截面形狀的控制要好得多，可用來制作高端光波導器件如陣列波導光柵AWG，其中FHD較CVD更利于厚膜的制備。 |
