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Rambus Inc.今天宣布推出Rambus HBM2E內(nèi)存接口子系統(tǒng)，該子系統(tǒng)包括一個(gè)完全集成的PHY和控制器，在三星先進(jìn)的14 / 11nm FinFET工藝上經(jīng)過(guò)硅驗(yàn)證。 通過(guò)利用30多年的信號(hào)完整性專業(yè)知識(shí)，Rambus解決方案的運(yùn)行速度高達(dá)3.2 Gbps，可提供410 GB / s的帶寬。 這種性能滿足了TB級(jí)帶寬加速器的需求，此類加速器針對(duì)性能要求最為嚴(yán)苛的AI / ML訓(xùn)練和高性能計(jì)算（HPC）應(yīng)用。 三星電子設(shè)計(jì)平臺(tái)開(kāi)發(fā)副總裁Jongshin Shin說(shuō)：“我們與Rambus的合作將業(yè)界領(lǐng)先的內(nèi)存接口設(shè)計(jì)專業(yè)知識(shí)與三星最尖端的工藝和封裝技術(shù)結(jié)合在一起。AI和HPC系統(tǒng)的設(shè)計(jì)人員可以使用HBM2E內(nèi)存實(shí)現(xiàn)平臺(tái)設(shè)計(jì)，利用三星先進(jìn)的14 / 11nm工藝，以達(dá)到無(wú)與倫比的性能水平。” 完全集成的，可投入生產(chǎn)的Rambus HBM2E內(nèi)存子系統(tǒng)以3.2 Gbps的速度運(yùn)行，為設(shè)計(jì)人員在平臺(tái)實(shí)現(xiàn)上提供了很大的裕量空間。 Rambus和三星合作，通過(guò)利用三星的14/11nm工藝和先進(jìn)的封裝技術(shù)對(duì)HBM2E PHY和內(nèi)存控制器IP核進(jìn)行硅驗(yàn)證。 Rambus IP部門總經(jīng)理Matt Jones表示：“由于硅片的運(yùn)行速度高達(dá)3.2 Gbps，客戶可以為自己的設(shè)計(jì)留出足夠的余地來(lái)實(shí)現(xiàn)HBM2E存儲(chǔ)器子系統(tǒng)�？蛻魧⑹芤嬗谖覀兊娜嬷С�，其中包括2.5D封裝和中介層參考設(shè)計(jì)提供，有助于確保客戶一次到位成功實(shí)現(xiàn)。” Rambus HBM2E內(nèi)存接口（PHY和控制器）的優(yōu)點(diǎn)： • 通過(guò)單個(gè)HBM2E DRAM 3D器件實(shí)現(xiàn)每引腳3.2 Gbps的速度，提供410 GB / s的系統(tǒng)帶寬 • 硅HBM2E PHY和控制器完全集成并經(jīng)過(guò)驗(yàn)證，可降低ASIC設(shè)計(jì)的復(fù)雜性并加快上市時(shí)間 • 作為IP授權(quán)的一部分，提供包含2.5D封裝和中介層參考設(shè)計(jì) • 提供Rambus系統(tǒng)和SI / PI專家的技術(shù)支持，幫助ASIC設(shè)計(jì)人員確保設(shè)備和系統(tǒng)的最大信號(hào)與電源完整性 • 具有特色的LabStation™開(kāi)發(fā)環(huán)境，可協(xié)助客戶回片后快速點(diǎn)亮系統(tǒng),校正和偵錯(cuò) • 支持高性能應(yīng)用程序，包括最先進(jìn)的AI / ML訓(xùn)練和高性能計(jì)算（HPC）系統(tǒng) 有關(guān)Rambus接口IP（包括我們的PHY和控制器）的更多信息，請(qǐng)?jiān)Lrambus.com/interface-ip。 |
