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可實現高性能和低損耗的突破性技術 對于工業、運輸/汽車、醫療、航空航天、國防和通信市場領域的電力電子產品設計人員而言，碳化硅（SiC）半導體技術為他們提供了一種創新選擇，有助于提升系統效率、縮小產品尺寸并且適應更高的工作溫度。我們的下一代SiC MOSFET和SiC SBD設計在額定導通電阻或額定電流下具有較高的重復性非鉗位感應開關（UIS）能力。我們的SiC MOSFET可保持較高的UIS能力（每平方厘米約10–25焦耳（J/cm2））以及穩健的短路保護性能。Microchip的SiC肖特基勢壘二極管（SBD）設計在低反向電流下具有平衡的浪涌電流、正向電壓、熱阻和熱電容額定值，可實現較低的開關損耗。此外，我們的SiC MOSFET和SiC SBD裸片可以在模塊中配合使用。Microchip的SiC MOSFET和SiC SBD產品將符合AEC-Q101標準。 資料下載： 
碳化硅半導體產品宣傳冊.pdf
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