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基于ARM926EJ-S的SAM9G45結(jié)合了客戶經(jīng)常需要的用戶界面功能和高數(shù)據(jù)速率連接。包括：電阻式觸摸屏、LCD控制器、攝像頭接口、音頻、10/100以太網(wǎng)和高速USB以及SDIO。由于其處理器運(yùn)行頻率為400MHz，以及多個100 + Mbps的數(shù)據(jù)速率外設(shè)，SAM9G45的網(wǎng)絡(luò)及本地存儲介質(zhì)的性能和帶寬可以提供足夠的用戶體驗(yàn)。 SAM9G45支持用于程序和數(shù)據(jù)存儲的DDR2和NAND閃存界面。內(nèi)部133 MHz的多層總線架構(gòu)結(jié)合了37個DMA通道，一個雙外部總線接口和分布式存儲器，包括一個64字節(jié)的SRAM，可配置為緊耦合存儲器（TCM）支持處理器和高速外設(shè)所需的高帶寬。 I / O支持1.8V或3.3V的操作，可以為存儲器接口和外設(shè)I / O進(jìn)行獨(dú)立配置。此功能完全消除了對外部電平轉(zhuǎn)換器的需求。此外，它還支持低成本PCB制造的0.8球間距封裝。 SAM9G45電源管理控制器具有高效的時鐘門控和電池支持，最大程度地減少了工作和待機(jī)模式的功耗。 
圖1 SAM9G45電源管理控制器框圖
圖2 評估板AT91SAM9G45-EKES外形圖 SAM9G45主要特性 • 400MHz的ARM926EJ-STMARM®的Thumb®處理器 - 32K字節(jié)數(shù)據(jù)緩存，32K字節(jié)指令緩存，MMU • 存儲器 - DDR2控制器4區(qū)DDR2/LPDDR，SDRAM / LPSDR - 外部總線接口，支持4區(qū)DDR2/LPDDR，SDRAM/ LPSDR，靜態(tài)存儲器，閃存，SLC NAND • 帶ECC的閃存 - 一個64字節(jié)的內(nèi)部SRAM，通過TCM接口，以系統(tǒng)的速度或處理器速度單周期訪問 - 一個64K字節(jié)的內(nèi)部ROM，嵌入引導(dǎo)程序 外設(shè) • LCD控制器支持STN和TFT顯示，最高為1280 * 860 • ITU - R BT.601/656圖像傳感器接口 • USB高速，USB主機(jī)高速，USB主機(jī)全速，片上收發(fā)器 • 10/100 Mbps以太網(wǎng)MAC控制器 – 兩個高速存儲卡主機(jī)（SDIO，SD卡，MMC） • AC'97控制器 • 兩個主/從串行外設(shè)接口 • 兩個三通道16位定時器/計數(shù)器 • 兩個同步串行控制器（I2S模式） • 四通道16位PWM控制器 • 兩個兩線接口 • 4個USART與ISO7816，IrDA，曼 徹斯特和SPI模式 • 8通道10位ADC，支持4線觸摸屏 系統(tǒng) • 133 MHz，12個32位的層AHB總線矩陣 • 37個DMA通道，從NAND閃 存，SD卡，DataFlash ®或串行DataFlash引導(dǎo) • 復(fù)位控制器，帶有片上上電復(fù)位 • 可選32768赫茲低功耗，和12 MHz晶體振蕩器 • 內(nèi)部低功耗32 kHz RC振蕩器 –一個系統(tǒng)鎖相環(huán)（PLL），和一個 高速USB的優(yōu)化480兆赫鎖相環(huán) （PLL） • 兩個可編程的外部時鐘信號 • 先進(jìn)的中斷控制器和調(diào)試單元 • 周期間隔定時器，看門狗定時器，實(shí)時定時器和實(shí)時時鐘 • I / O • 5個32位并行輸入/輸出控制器 • 160可編程I / O線，多路，最多兩個外設(shè)I / O，具有施密特觸發(fā)器輸入 封裝 324球TFBGA，間距0.8毫米
圖3 評估板AT91SAM9G45-EKES架構(gòu)圖
圖4 評估板AT91SAM9G45-EKES元件布局圖 評估板SAM9G45-EKES Atmel®SAM9G45–EKES是一個基于Atmel SAM9G45微控制器的，全功能的評估平臺。該評估套件可以使用戶對應(yīng)用的具體設(shè)計進(jìn)行廣泛的評估、創(chuàng)建和原型開發(fā)。 SAM9G45- EKES包括許多硬件外設(shè)，例如： • 兩個高速USB主機(jī)和一個高速設(shè)備端口 • 一個10/100以太網(wǎng)接口 • 兩個高速多媒體卡接口 • 一個LCD TFT顯示屏（480 * RGB * 272） • 一個復(fù)合視頻輸出 • 一個攝像頭接口幾種通信外設(shè)，如： • 通用同步/異步收發(fā)器（USART） • 串行同步控制器（SSC） • 雙線接口（TWI） • 外部存儲器塊是由3種類型的內(nèi)存 組成： • DDR2 - SDRAM， • NAND閃存 • NOR閃存 詳情請見： http://m.qingdxww.cn/thread-71826-1-1.html |
