FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，對(duì)XS018 180nm傳感器工藝進(jìn)行改進(jìn)，擴(kuò)大了其應(yīng)用范圍。得益于此次技術(shù)改進(jìn)，公司現(xiàn)已能夠提供光電二極管專用工藝核心模塊。此前，XS018工藝主要面向多像素CMOS圖像傳感器的制造，而這一新模塊的推出則專門用于光電二極管的制造。
透過該模塊，X-FAB現(xiàn)在可以為客戶帶來六種不同的光電二極管供選擇，覆蓋了從紫外線（UV）到近紅外（NIR）的波長(zhǎng)；該系列光電二極管的不同工作參數(shù)意味著它們可以滿足客戶的各種應(yīng)用需求。同時(shí)，X-FAB定于2021年4月15日（星期四）舉辦免費(fèi)網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)，來詳細(xì)介紹增強(qiáng)型XS018工藝；本次研討會(huì)共舉辦兩場(chǎng)，其中一場(chǎng)面向亞洲和歐洲觀眾，另一場(chǎng)面向美洲觀眾。了解更多詳情，請(qǐng)點(diǎn)擊：https://attendee.gotowebinar.com/rt/2367758021709835024。 新型X-FAB光電二極管能夠提供同類最佳的UV靈敏度，在UVA波段達(dá)到40％的量子效率（QE），在UVB波段達(dá)到50-60%的QE，在UVC波段達(dá)到60％的QE。此外，在NIR波段的性能也得到了顯著提高。在850nm波長(zhǎng)時(shí)，光電二極管的QE比基于原XH018工藝的傳統(tǒng)器件高出17%；而在905nm波長(zhǎng)時(shí)的QE增加5%。憑借約90%的QE，其人眼響應(yīng)方案選項(xiàng)非常適用于環(huán)境光感測(cè)應(yīng)用。 新工藝的一個(gè)特點(diǎn)是可以通過指定金屬孔徑的大小規(guī)定光電二極管的響應(yīng)度。光電二極管的輸出電流因此可在全電流和無電流之間縮放，以便補(bǔ)償濾波造成的任何差異。這進(jìn)而簡(jiǎn)化了光電二極管陣列的配套放大電路。其它增強(qiáng)功能包括：與基于早期XH018器件相比，填充因子提高10%；透過這種方式，可以創(chuàng)建針對(duì)較低光照水平做出響應(yīng)的器件，或可以減小芯片尺寸以節(jié)省空間。 “通過持續(xù)的投資，X-FAB已經(jīng)打造了強(qiáng)大的光電制造實(shí)力——全球所生產(chǎn)的手機(jī)中有超過20%采用了我們制造的環(huán)境光傳感器，便是一個(gè)很好的例證。”X-FAB產(chǎn)品營(yíng)銷副總裁Luigi Di-Capua表示，“得益于在光電二極管產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域的進(jìn)展，我們現(xiàn)在能夠更好地滿足客戶對(duì)近距感測(cè)、光譜分析，和光學(xué)測(cè)距/三角測(cè)量解決方案的需求。” 以上六款光電二極管現(xiàn)可以通過“my X-FAB”客戶門戶提供。如需進(jìn)一步的咨詢，請(qǐng)聯(lián)系X-FAB銷售人員，他們將為您提供更多信息。 |
