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MRAM是一種使用電子自旋來存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。非易失性MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力，能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM存儲(chǔ)器的速度結(jié)合在一起并同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM存儲(chǔ)芯片可以抵抗高輻射及可以在極端溫度條件下運(yùn)行并且可以防篡改。本篇文章everspin代理介紹關(guān)于MRAM的工作原理技術(shù)。 MRAM芯片中的數(shù)據(jù)是由磁存儲(chǔ)元件存儲(chǔ)。這些元素是由兩塊鐵磁板組成的，兩塊鐵磁板之間隔著一層薄薄的絕緣層，每一塊鐵磁板都能保持磁化。這種結(jié)構(gòu)被稱為磁隧道結(jié)(MTJ)。兩塊極板中的一塊是在制造期間被設(shè)置為特定極性的永磁體;另一塊板的磁化率可以隨存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)進(jìn)行改變。瑞薩電子最近增加了MRAM器件，該器件使用了一種基于垂直磁隧道結(jié)(p-MTJ)的專有自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM (STT-MRAM)。p-MTJ包括固定且不可改變的磁層、電介質(zhì)阻擋層和可改變的鐵磁存儲(chǔ)層。 在編程操作中，根據(jù)p-MTJ元素的電流方向，存儲(chǔ)層的磁場方向從平行狀態(tài)(低電阻狀態(tài)“0”)電切換到反平行狀態(tài)(高電阻狀態(tài)“1。這兩種不同的電阻狀態(tài)用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和感測。 |
