東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊，有助于提升工業(yè)設(shè)備效率和小型化

發(fā)布時(shí)間：2021-2-25 14:45 發(fā)布者：eechina

關(guān)鍵詞： SiC , MOSFET , MG800FXF2YMS3

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，面向工業(yè)應(yīng)用推出一款集成最新開發(fā)的雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---“MG800FXF2YMS3”，該產(chǎn)品將于2021年5月投入量產(chǎn)。

為達(dá)到175℃的通道溫度，該產(chǎn)品采用具有銀燒結(jié)內(nèi)部鍵合技術(shù)和高貼裝兼容性的iXPLV（智能柔性封裝低電壓）封裝。這款模塊可充分滿足軌道車輛和可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用對(duì)高效緊湊設(shè)備的需求。

 應(yīng)用
・用于軌道車輛的逆變器和轉(zhuǎn)換器
・可再生能源發(fā)電系統(tǒng)
・工業(yè)電機(jī)控制設(shè)備

 特性
・漏源額定電壓：VDSS＝3300V
・漏極額定電流：ID＝800A雙通道
・寬通道溫度范圍：Tch＝175℃
・低損耗：
Eon＝250mJ（典型值）
Eoff＝240mJ（典型值）
VDS(on)sense＝1.6V（典型值）
・低雜散電感：Ls＝12nH（典型值）
・高功率密度的小型iXPLV封裝

 主要規(guī)格

器件型號(hào)				MG800FXF2YMS3
封裝				iXPLV
額定最大絕對(duì)值	漏源電壓VDSS（V）			3300
	柵源電壓VGSS（V）			-2.5
	漏極電流（DC）ID（A）			800
	漏極電流（脈沖）IDP（A）			1600
	通道溫度Tch（℃）			175
	隔離電壓Visol（Vrms）			6000
電氣特性	漏源電壓導(dǎo)通電壓（感應(yīng)）		VGS＝+20V時(shí)，	1.6
	VDS(on)sense典型值（V）		ID＝800A
	源漏電壓導(dǎo)通電壓（感應(yīng)）		VGS＝+20V時(shí)，	1.5
	VSD(on)sense典型值（V）		IS＝800A
	源漏電壓關(guān)斷電壓（感應(yīng)）		VGS＝-6V時(shí)，	2.3
	VSD(off)sense典型值（V）		IS＝800A
	雜散電感模塊LSPN典型值（nH）			12
	導(dǎo)通開關(guān)損耗	VDD＝1800V時(shí)，		250
	Eon典型值（mJ）	ID＝800A、
		Tch＝150℃
	關(guān)斷開關(guān)損耗	VDD＝1800V時(shí)，		240
	Eoff典型值（mJ）	ID＝800A、
		Tch＝150℃

如需了解相關(guān)新產(chǎn)品的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問以下網(wǎng)址：
MG800FXF2YMS3
https://toshiba-semicon-storage. ... .MG800FXF2YMS3.html

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