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MRAM是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰cSRAM的速度結(jié)合在一起，同時始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車，工業(yè)，軍事和太空應(yīng)用，這些對于MRAM開發(fā)人員來說是重要的部分。 那么MRAM的優(yōu)勢究竟有哪些呢?下面我們分幾點一起來看看: 首先，MRAM是非易失性存儲器，也就是斷電后MRAM依舊可以保存數(shù)據(jù)。這一點和之前介紹的NRAM類似。 其次，MRAM不存在讀取磨損的問題。由于MRAM的原理只涉及磁場改變方向等，不像閃存顆粒那樣需要一定數(shù)量的電子才能工作，并且電子存在丟失可能，因此壽命理論上來說是無限的，磁場的穩(wěn)定性要比電場好很多。 第三，MRAM的功耗很低。由于MRAM在寫入數(shù)據(jù)時只需要反轉(zhuǎn)磁場即可，因此所需功耗能夠控制在比較低的范圍。 第四，MRAM抗輻射效應(yīng)出眾。由于MRAM使用的是金屬、又是磁存儲結(jié)構(gòu)，因此在一般的輻射下能夠穩(wěn)定工作，比DRAM、SRAM、NAND等強(qiáng)很多。 第五，MRAM讀寫速度比較高。目前MRAM產(chǎn)品的讀寫速度已經(jīng)超過了DRAM,距離sram還有一定差距。不過隨著工藝的進(jìn)步和結(jié)構(gòu)設(shè)計的提高，MRAM有望讓速度再上一個臺階。 在這五大優(yōu)勢背后，MRAM也存在一些問題。比如目前制造和設(shè)計都比較困難，材料上還有進(jìn)一步拓展的空間，目前價格也比較昂貴，尚未經(jīng)過大規(guī)模量產(chǎn)等。耐久性方面，MRAM由于使用的是磁場來存儲數(shù)據(jù)，因此在外界磁場干擾、高溫等環(huán)境下是否能穩(wěn)定、長久的保存數(shù)據(jù)，還有待檢驗。 Everspin Technologies，Inc是設(shè)計制造MRAM和STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM產(chǎn)品廣泛應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心、云存儲、能源，工業(yè)，汽車和運(yùn)輸市場中，為全球MRAM用戶奠定了最強(qiáng)大，增長最快的基礎(chǔ)。代理商宇芯電子提供產(chǎn)品技術(shù)支持指導(dǎo)。 |
