光電解決方案制造商X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，推出最新一代的雪崩光電二極管（APD）和單光子雪崩二極管（SPAD）器件。
X-FAB全新APD和SPAD采用其成熟且通過汽車認(rèn)證的180nm XH018高壓工藝。得益于創(chuàng)新的架構(gòu)改進(jìn)，其與該公司的早期器件（最初于2019年中期發(fā)布）相比，性能得到顯著提升，因此可用于光照強(qiáng)度極具挑戰(zhàn)性的場(chǎng)景。同時(shí)，新器件與上一代的外形與連接兼容性得到保留，從而確保了簡(jiǎn)單便捷的升級(jí)途徑，而無需額外的工程工作。 性能提升最明顯的領(lǐng)域之一是光子探測(cè)概率（PDP）。405nm波長(zhǎng)入射光PDP數(shù)值為42%，而在近紅外（NIR）頻率上的改進(jìn)幅度更進(jìn)一步，高達(dá)150%；850nm波長(zhǎng)PDP數(shù)值為5%。此外，后脈沖概率為0.9%，與第一代器件相比降低了70%；暗計(jì)數(shù)率（DCR）僅13次/秒/μm2，當(dāng)前可支持的填充因子（有源傳感器表面積百分比）幾乎翻了一番，達(dá)到33%。 由于擊穿電壓特性可能因設(shè)備而異，因此需要精確測(cè)定來確保APD/SPAD的良好性能。基于這個(gè)原因，X-FAB內(nèi)置了一個(gè)觸發(fā)二極管，可以在無需外部光源即可實(shí)現(xiàn)精確、實(shí)時(shí)的片上擊穿電壓檢測(cè)。全新產(chǎn)品包含主動(dòng)猝滅電路，可以通過它加快SPAD器件的恢復(fù)速度，使其為進(jìn)一步光子探測(cè)做好準(zhǔn)備。得益于尺寸的靈活性（寬度和長(zhǎng)度方面），全新SPAD帶來了更杰出的應(yīng)用適應(yīng)性。SPAD和APD器件的完整器件模型保證了首次成功（first-time-right）；該模型還包括新的內(nèi)置觸發(fā)二極管行為。 “得益于提升的PDP并結(jié)合極富競(jìng)爭(zhēng)力的DCR水平，我們向市場(chǎng)推出的APD/SPAD解決方案具備令人印象深刻的信號(hào)完整性特性；這將使我們的客戶在眾多應(yīng)用中獲得直接的收益，如醫(yī)療領(lǐng)域中的計(jì)算機(jī)層析成像和熒光檢測(cè)，以及工業(yè)和汽車系統(tǒng)中的ToF與激光雷達(dá)等。”X-FAB光電技術(shù)業(yè)務(wù)線經(jīng)理Detlef Sommer表示，“這些先進(jìn)的光電元件是X-FAB設(shè)計(jì)套件的寶貴補(bǔ)充，拓寬了在XH018工藝中可利用的互操作資產(chǎn)選擇范圍。” |
