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自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現有存儲器的優點，同時在性能方面又超過了現有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。 表1存儲器的技術規格比較 在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需的擦除操作，而且寫人時間也比閃存少幾個數量級。即使是與現有存儲器中性能較高的DRAM(讀取1寫入時間為30ns~50ns)相比，自旋注入MRAM的高性能仍然很突出。此外可擦寫次數超過1015次,和DRAM及SRAM相當,大大超出了閃存的105次。 在功能及性能方面均超過現有存儲器的自旋注入MRAM,很有可能將會取代在設備中使用的多種存儲器(見圖1)。如果關鍵技術的研發工作進展順利，自旋注入MRAM今后的普及應用將大致分為兩個階段。第一階段,它將取代車載MCU中應用的嵌入式存儲器，其后在第二階段,它將取代手機中的MCP以及獨立DRAM和獨立NOR閃存等。 圖1 65nm產品會取代嵌入式存儲器，45nm產品會取代獨立存儲器 目前各廠商已經基本掌握了用于實現第一階段應用的關鍵技術。在車載MCU中,通常是將設備工作時使用的sram存儲器和用于存放程序的閃存集成在同一塊芯片上。如果能夠將自旋注入MRAM集成到MCU中，就可以取代上述的SRAM及閃存。 MCU的用戶也對采用自旋注入MRAM表現出積極的態度。目前車載MCU中集成的閃存的可擦寫次數太少。希望能夠采用讀/寫性能優于閃存的存儲器件。聽說MRAM比閃存的可擦寫次數多，并且性能有所提高。如果這兩種存儲器的成本一樣，肯定會選擇MRAM。當采用65nm工藝的自旋注入MRAM量產時,將有可能實現對車載MCU中嵌入式存儲器的取代。 |
