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第四代N溝道器件降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，提高能效 Vishay 推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n溝道SiHH070N60EF導(dǎo)通電阻比其前代器件低29 %，為通信、工業(yè)、計算和企業(yè)級電源應(yīng)用提供高效解決方案，同時柵極電荷下降60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中600 V MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。 
Vishay提供豐富的MOSFET技術(shù)支持各級功率轉(zhuǎn)換，涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統(tǒng)。隨著SiHH070N60EF的推出，以及即將發(fā)布的第四代600 V EF系列產(chǎn)品，Vishay可滿足電源系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計前兩個階段提高能效和功率密度的要求—包括圖騰柱無橋功率因數(shù)校正（PFC）和軟切換DC/DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。 SiHH070N60EF基于Vishay最新高能效E系列超結(jié)技術(shù)，10 V條件下典型導(dǎo)通電阻僅為0.061 Ω，超低柵極電荷降至50 nC。器件的FOM為3.1 Ω*nC，比同類最接近的MOSFET低30 %。這些參數(shù)表明導(dǎo)通和開關(guān)損耗降低，從而節(jié)省能源。SiHH070N60EF有效輸出電容Co(er)和Co(tr)分別僅為90 pf和560 pF，可改善零電壓開關(guān)（ZVS）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)開關(guān)性能，如LLC諧振轉(zhuǎn)換器。器件的Co(tr) 比同類緊隨其后的MOSFET低32 %。 日前發(fā)布的器件采用PowerPAK 8x8封裝，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素，耐受雪崩模式過壓瞬變，并保證極限值100 %通過UIS測試。 SiHH070N60EF現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為10周。 |
