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磁阻式隨機存儲器(MRAM)是一種新型存儲器,其優點有讀取速度快和集成度高及非揮發性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM存儲器運用于計算機存儲系統中。MRAM因具有許多優點,有取代SRAM和DRAM的潛能。用MTJ存儲單元構建的MRAM存儲器可以用作高速緩存。 高速緩存可以用與SRAM幾乎相同的方式來組建。MRAM與SRAM具有相似的電路結構(見圖1)。 它們都由字線來選擇目標操作單元,由位線來傳輸數據。SRAM兩種不同的位線連接到每一個單元,而MRAM只有一條位線,可以簡單的把位線與源線的結合看做替代。因為基于sram芯片的讀出放大器不能直接用于MRAM存儲器,故MRAM需要一個參考信號，通常由一個偽MRAM單元提供,其面積可以忽略。 圖1MRAM單元的等效電路結構(1T1J) 因此一個大型MRAM陣列被劃分成若干個小型陣列。小型陣列可采用傳統高速緩存結構,由H-tree連接起來,其行列數目和尺寸可以使用CACTI工具來進行優化。 |
