1、直流參數
（1）集電極一基極反向飽和電流Icbo，發射極開路（Ie=0)時，基極和集電極之間加上規定的反向電壓Vcb時的集電極反向電流，它只與溫度有關，在一定溫度下是個常數，所以稱為集電極一基極的反向飽和電流。良好的三極管，Icbo很小，小功率鍺管的Icbo約為1～10微安，大功率鍺管的Icbo可達數毫安，而硅管的Icbo則非常小，是毫微安級。
（2）集電極一發射極反向電流Iceo(穿透電流）基極開路（Ib=0）時，集電極和發射極之間加上規定反向電壓Vce時的集電極電流。Iceo大約是Icbo的β倍即Iceo=(1 β)Icbo o Icbo和Iceo受溫度影響極大，它們是衡量管子熱穩定性的重要參數，其值越小，性能越穩定，小功率鍺管的Iceo比硅管大。
（3）發射極---基極反向電流Iebo 集電極開路時，在發射極與基極之間加上規定的反向電壓時發射極的電流，它實際上是發射結的反向飽和電流。
（4）直流電流放大系數β1（或hEF） 這是指共發射接法，沒有交流信號輸入時，集電極輸出的直流電流與基極輸入的直流電流的比值，即：
β1=Ic/Ib
2、交流參數
（1）交流電流放大系數β（或hfe） 這是指共發射極接法，集電極輸出電流的變化量△Ic與基極輸入電流的變化量△Ib之比，即：
β= △Ic/△Ib
一般晶體管的β大約在10-200之間，如果β太小，電流放大作用差，如果β太大，電流放大作用雖然大，但性能往往不穩定。
（2）共基極交流放大系數α（或hfb） 這是指共基接法時，集電極輸出電流的變化是△Ic與發射極電流的變化量△Ie之比，即：
α=△Ic/△Ie
因為△Ic＜△Ie，故α＜1。高頻三極管的α＞0.90就可以使用
α與β之間的關系：
α= β/（1 β）
β= α/（1-α）≈1/（1-α）
（3）截止頻率fβ、fα 當β下降到低頻時0.707倍的頻率，就是共發射極的截止頻率fβ；當α下降到低頻時的0.707倍的頻率，就是共基極的截止頻率fαo fβ、fα是表明管子頻率特性的重要參數，它們之間的關系為：
fβ≈（1-α）fα
（4）特征頻率fT因為頻率f上升時，β就下降，當β下降到1時，對應的fT是全面地反映晶體管的高頻放大性能的重要參數。
3、極限參數
（1）集電極最大允許電流ICM 當集電極電流Ic增加到某一數值，引起β值下降到額定值的2/3或1/2，這時的Ic值稱為ICM。所以當Ic超過ICM時，雖然不致使管子損壞，但β值顯著下降，影響放大質量。
（2）集電極----基極擊穿電壓BVCBO 當發射極開路時，集電結的反向擊穿電壓稱為BVEBO。
（3）發射極-----基極反向擊穿電壓BVEBO 當集電極開路時，發射結的反向擊穿電壓稱為BVEBO。
（4）集電極-----發射極擊穿電壓BVCEO 當基極開路時，加在集電極和發射極之間的最大允許電壓，使用時如果Vce＞BVceo，管子就會被擊穿。
（5）集電極最大允許耗散功率PCM 集電流過Ic，溫度要升高，管子因受熱而引起參數的變化不超過允許值時的最大集電極耗散功率稱為PCM。管子實際的耗散功率于集電極直流電壓和電流的乘積，即Pc=Uce×Ic.使用時慶使Pc＜PCM。
PCM與散熱條件有關，增加散熱片可提高PCM |
發表于 2011-8-19 10:43:25
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