光刻機光源廠商Gigaphoton公司近日宣稱其研發的EUV用LPP光源的殘骸消除技術可以去掉工質等離子化時產生的92%有害殘骸，其研發的LPP光源使用了電磁場技術來降低殘骸的數量，這樣一來，這款光源產品將很快投入量產，并于明年年初正式上市（按照Gigaphoton此前公布的Roadmap，這款機型代號應該是GL200E）。
Gigaphoton2010年公布的EUV光源Roadmap
GL200E結構簡圖 Gigaphoton公司的總裁Yuji Watanabe博士稱：“這項新技術的應用，給LPP光源的量產化帶來了希望，我們將在我們的EUV光源中應用這種獨特的技術，以確保我們的光源產品能夠穩定工作并保持較低的成本水平。我認為這種新技術的推出將進一步促進設備廠商盡早啟用EUV光刻設備。為了滿足我們客戶要在明年年初拿到正式產品的要求，Gigaphoton專門為EUV光源初期量產而設立的工廠已經開始啟動運作。這也標志著我們公司與EUV有關業務已經正式走上軌道。” 據Gigaphoton介紹，LPP光源使用CO2激光束照射微小的錫珠工質以產生發光等離子體，不過錫珠被激光照射之后的殘骸會吸附在LPP光源的匯聚鏡片表面，損傷鏡片表面的多層薄膜結構，該公司還宣稱要想推出量產型EUV用LPP光源，就必須使用其研發的磁場技術。 Gigaphoton采用的殘骸消除技術采用固態激光源來產生預脈沖（所謂預脈沖，就是指主脈沖產生前振幅較小的脈沖），配合CO2激光源的主脈沖，以減少激光照射錫珠后產生的錫碎屑和中性錫原子數量，保證錫珠中的錫離子數量最大化，然后再使用電磁場將這些錫離子導向錫離子收集器，再將收集器上收集的錫排出，這樣便能最大限度降低鏡片上的錫殘骸淀積，保護鏡片。 Gigaphoton透露，在該光源的驗證性試驗中，直徑僅20um的錫珠工質先后接受作為預脈沖源的固態激光源和作為主脈沖源的CO2激光的照射加熱，這樣就能完全杜絕被加熱后的錫珠產生碎片殘骸的現象。Gigaphoton宣稱采用這種設計的LPP光源中錫珠的93%部分均會被離子化，此后的電磁場作用則可以將這些錫珠產生的99%比例的錫離子導向到錫收集器中。 不過，除去被離子化的錫之外，剩余的7%未被激光束加熱離子化的錫原子則會緩慢地沉積在會聚鏡片上，但Gigaphoton可以定期使用蝕刻性的氣體來清除這些淀積的錫原子。這樣就可以將光源鏡片表面的多層膜結構所受到的損壞降低到最低。 |
