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隨著光刻工藝升級力度減弱，產業削減成本的速度也將放慢 作者：DEE NGUYEN 據IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術，該產業的成本削減及節省步伐從2012年開始將放緩。 雖然最近幾個季度DRAM產業在推低光刻節點方面比較積極，但在今年剩余時間內力度將逐漸減弱。今年第一季度該產業的加權平均節點從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推動DRAM技術遷移的力度增大。在此期間，成本降幅從7.8%增大至14.2%，晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。 IHS iSuppli公司的研究顯示，但從第二季度開始，預計DRAM產業對于光刻工藝遷移的態度將不再那么積極，成本下降速度也將變慢。第二季度lithography reduction將下降到5.2%，第三季度下降到4.8%，第四季度降到3.7%。相應地，成本削減幅度也將在第二季度下降到12%，第三和第四季度分別降至9和4%，如圖2所示。 
確實，DRAM產業正在經歷幾種轉變，例如許多供應商進行戰略性調整，擺脫商品類DRAM；建立新的制造與代工聯盟；繼續向40納米及更先進的工藝遷移。IHS公司認為，所有這些因素都將對供需關系產生影響，進而影響利潤率和供應商的利潤。 令人意外的是，由于上一個繁榮周期利潤率大幅上升，第一季度DRAM產業保持盈利狀態。上一個繁榮周期始于2009年第二季度，持續到一年以后結束。盡管DRAM平均銷售價格持續下降，但目前的周期符合歷史形態，隨著需求的起伏變化，芯片價格與DRAM廠商的利潤也隨之波動。 尤其是，預期中的成本下降將來自技術變化，DRAM芯片將越來越多地采用新型光刻設備和技術制造。從2010年第四季度到今年第一季度，推動光刻工藝變化的主要廠商是Inotera和Rexchip，前者的平均光刻節點橫跨至50納米，而后者則前進到了40納米。 IHS iSuppli公司的研究顯示，雖然DRAM成本下降可以來自光刻技術變化以外的其它因素，但那些額外考慮現在完全可以排除。其中一個因素是以擴大規模效益為目的的產能增長，該因素將受到限制，因為廠商將繼續對專門用于產能擴張的資本支出保持謹慎。另一個因素是運營效率，由于以前及目前的疲軟局面促使廠商的運營保持相對緊縮，該因素預計不會對未來的成本節省有太大影響。 IHS的估計顯示，隨著向4x納米的過渡明年徹底完成，成本下降勢頭將更加變弱。在2011年剩余時間內，每季度相對于光刻遷移的成本下降將達到6.5%，2012年縮窄到3.3%。隨著光刻遷移勢頭在未來幾個季度減弱，成本下降趨勢將反映這種變化——現在強勁，2012年減弱。 Dee Nguyen是IHS公司的內存分析師。對于垂詢本文的媒體，請聯系編輯總監兼公關經理Jonathan Cassell，其電子郵件地址是：jcassell@isuppli.com 。對于非媒體垂詢，請聯系：analystinquiries@isuppli.com 。 如欲進一步了解內存市場的最新動態，請參閱IHS公司的報告：DRAM Cost Reductions Running Strong for Now, Fading in 2012. 更多信息，請訪問： http://www.isuppli.com/Memory-an ... Fading-in-2012.aspx 。 |
