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隨著全球?qū)πl(wèi)星通信、衛(wèi)星電視、衛(wèi)星天氣預(yù)報及衛(wèi)星地理數(shù)據(jù)的需求不斷升溫，橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM） 推出首款完全符合衛(wèi)星和運載火箭電子子系統(tǒng)質(zhì)量要求的功率系列產(chǎn)品。 據(jù)衛(wèi)星產(chǎn)業(yè)協(xié)會報告顯示，全球衛(wèi)星市場正在穩(wěn)步增長，每年收入達1600多億美元[1]。雖然核心電子元器件產(chǎn)自于全球不同地區(qū)，包括歐洲和亞洲，但獲得航天應(yīng)用認證的器件主要來自美國。意法半導(dǎo)體與歐洲航天局（ESA）和法國航天研究中心（CNES）合作研發(fā)的全新抗輻射功率MOSFET系列完全符合歐洲航天元器件協(xié)調(diào)委員會（ESCC）的技術(shù)標準。 意法半導(dǎo)體不僅擴大了全球航天質(zhì)量級元器件的貨源，還成功打破可能拖延項目工期或禁止使用某些器件和進入某些市場采購限制。意法半導(dǎo)體功率晶體管產(chǎn)品部總經(jīng)理Ian Wilson表示：“這款新的防輻射功率MOSFET系列產(chǎn)品是根據(jù)航天技術(shù)要求設(shè)計的，也是首款來自歐洲半導(dǎo)體廠商制造的航天級元器件。” 全新抗輻射功率MOSFET系列產(chǎn)品的額定輸出電流為6A至80A，由5款N溝道和P溝道產(chǎn)品組成，包括額定電壓100V的STRH100N10、STRH8N10和STRH40P10；額定電壓60V的STRH100N6和STRH40N6。100V的P溝道器件的額定電流為34A。低柵電荷量是意法半導(dǎo)體STripFET制程的特性，可提升晶體管的開關(guān)性能，是直流功率模塊如電機控制器和線性穩(wěn)壓器、線路開關(guān)和電子限流熔斷器的理想選擇。 意法半導(dǎo)體航天級功率MOSFET晶體管的主要特性： ·快速開關(guān)性能 ·100%雪崩測試 ·密封式封裝 ·可承受70/100 krad總離子輻射量(TID) ·抗SEE輻射 STRHxxxN10、STRHxxxN6和STRH40P10系列現(xiàn)已上市，達到EM（工程模型）或 ESCC的航空質(zhì)量級標準，封裝采用TO254-AA和TO-39通孔封裝。此外，意法半導(dǎo)體還提供SMD.5貼裝版抗輻射晶體管。STRH100N10達到了 ESCC 5205/021技術(shù)標準，其它產(chǎn)品預(yù)計將于2011年下半年達到 ESCC 相關(guān)標準。 關(guān)于航天級半導(dǎo)體： 抗輻射是航天元器件的主要要求。在太空中存在大量的輻射源，例如，范艾倫輻射帶、太陽風和太陽耀斑以及銀河宇宙射線。 當被迫受到伽瑪射線和重離子輻射時，抗輻射或防輻射元器件能夠在這種環(huán)境長時間工作。MOSFET晶體管的抗輻射方法是，優(yōu)調(diào)產(chǎn)品設(shè)計和制程，提高耐輻射能力，最大限度減少重要參數(shù)因輻射而發(fā)生的漂移或偏差，例如閾壓、泄漏電流和動態(tài)特性。抗輻射元器件須接受抗輻射測試，如 Co60伽瑪射線和重離子輻射，這些測試是ESCC22900和 ESCC25100技術(shù)規(guī)范規(guī)定的抗輻射測試。所有器件必須通過這些測試才能獲得ESCC質(zhì)量認證。 為全球航天工業(yè)提供經(jīng)濟且高性能的航天級功率MOSFET貨源，意法半導(dǎo)體優(yōu)化經(jīng)過市場驗證的STripFET制程，使其兼容制造防輻射元器件的技術(shù)和制程。 
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