宜普推出第二代200V增強型氮化鎵功率晶體管:EPC2010

發布時間：2011-6-11 21:39 發布者：Liming

關鍵詞： EPC2010 , 宜普

　宜普電源轉換公司宣布推出了第二代eGaN場效應晶體管(FET)系列產品中的最新成員EPC2010，具更卓越性能，不僅環保、不含鉛，而且符合RoHS(有害物質限制)指令。
　　EPC2010 FET是一款200VDS器件，最大RDS(ON)值為25mΩ，柵極施加電壓是5V。這種eGaN FET與第一代EPC1010 eGaN器件相比具有明顯的性能優勢。EPC2010將脈沖電流額定值提高到60A(而EPC1010為40A)，并且改進了很低柵極電壓時的RDS(ON)值，電容值也更低。
　　與具有相同導通電阻值的先進硅功率MOSFET相比，EPC2010體積更小，開關性能更高出許多倍。受益于更高性能eGaN FET的應用很多，其中包括高速DC/DC電源、負載點轉換器、D類音頻放大器、硬件開關和高頻電路。
　　“宜普是第一家實現氮化鎵功率場效應晶體管商用化的公司。隨著第二代產品的推出，宜普進一步提升了氮化鎵場效應晶體管的性能標桿。另外，宜普的新一代eGaN產品也是首個無鉛化且符合RoHS的氮化鎵場效應晶體管。” 宜普公司合夥創始人及首席執行官Alex Lidow表示。

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