英飛凌的最新一代高壓CoolMOS MOSFET取得了又一項創新，設立了能效的新標準。在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會（5月17日至19日）上，英飛凌展出了全新推出的650V CoolMOS CFD2，它是世界上第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管。這個新的CFD2器件延續了600V CFD產品的優點，不僅可以提高能效，而且具備更軟的交換功能，從而降低了電磁干擾（EMI），提升產品的競爭優勢。
650V CoolMOS CFD2集快速開關超級結技術MOSFET的優越性于一身，包括更出色的輕載效率、更低柵極電荷、易于應用和出眾的可靠性等。此外，該產品具備更低單位面積通態電阻和更低容性開關損耗，允許輕松控制開關行為，并且提供了當前市場上最結實耐用的體二極管。相比于前代產品600V CFD，新推出的CoolMOS CFD2產品還降低了系統成本�？傮w而言，它是適用于諧振開關拓撲的最優選擇。 英飛凌預計，650V CoolMOS CFD2的最大潛在市場包括太陽能逆變器、服務器、照明裝置和用于通信系統的開關電源（SMPS）等。 供貨情況及定價 IPW65R080CFD（650V、導通電阻80毫歐姆、TO247封裝）樣片現已開始供貨。起訂量為1萬顆時，單價為6.00美元。 關于全新CFD2產品家族的更多信息，敬請登錄www.infineon.com/cfd2 |
