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日本東京大學開發出了基本結構與閃存相同，由有機材料組成的非揮發性內存“有機閃存”。該閃存具有擦除電壓僅為6V、讀取電壓僅為1V的特點。能夠耐受1000次以上的寫入/擦除。具備柔性性質，今后，隨著數據保存時間的進一步延長，該閃存將能夠應用于大面積傳感器和電子紙等大面積電子用途。 該有機閃存由東京大學大學院工學系研究科電氣系工學專業教授染谷隆夫與該專業助教關谷毅組成的研究小組開發。相關論文已刊登在《科學》2009年12月11日刊中。 染谷小組制作的是以PEN（聚鄰苯二甲酸酯）樹脂為底板，26×26個2T型內存單元在其上方排列為陣列狀的薄片。薄片具有柔性，即使彎曲至曲率半徑6mm，機械、電性質仍無劣化。其非揮發性內存功能也已經過驗證。而且，通過與壓力傳感器集成，該內存陣列還可以制成能夠在薄片內保持壓像的“智能壓力傳感器”。 該內存被稱為有機閃存是因為使用了與Si閃存相同的“浮柵結構”晶體管。具體來說，PEN底板上由Al控制柵電極、絕緣膜、Al浮柵、絕緣膜、有機半導體并五苯以及Au源電極和柵電極組成。絕緣膜使用由AlOx和擁有烷基鏈（CH2-CH2-CH2-…）的一種磷酸組成的“自組裝單分子膜（SAM）”制成。SAM非常薄，僅厚2nm。 在過去，使用有機材料的非揮發性內存也曾有過試制先例。一種是使用鐵電體材料的類型。另一種是與這次類似的浮柵結構類型。但鐵電體材料內存的寫入/擦除電壓很難降低到20V以下。浮柵結構內存也存在著因擦除電壓高、絕緣膜厚度不均而造成的內存特性誤差、在大氣中不穩定的課題。此次，通過使用無需控制厚度的SAM作為絕緣膜，特性誤差得到了抑制。而且，SAM在大氣中性質穩定。 在目前，該閃存仍需解決數據保存時間僅為1天的課題。但研究小組稱，隨著組件的微細化和大分子長SAM的采用，保存時間有望得到大幅延長。 來源：日經BP社 |
