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記者17日從中國科學院上海微系統與信息技術研究所獲悉，我國第一款具有自主知識產權的相變存儲器(PCRAM)芯片研制成功，打破了存儲器芯片生產技術長期被國外壟斷的局面，產業化前景可觀。 據專家介紹，此款PCRAM芯片將可取代傳統存儲器，廣泛應用于手機存儲、射頻識別等多種消費型電子產品中。 我國半導體存儲器市場規模目前已接近1,800億元，但由于長期缺乏具有自主知識產權的制造技術，國內存儲器生產成本極為高昂。該款PCRAM相變存儲器預計將于今年年內投入量產。 中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員、PCRAM研究項目負責人宋志棠表示,PCRAM相變存儲器不僅綜合了目前半導體存儲器市場上主流的 DRAM、SRAM和FLASH等存儲器的優良特性,而且還具有微縮性能優越、非揮發性、循環壽命長、數據穩定性強、功耗低等諸多優勢,被認為是下一代非 揮發存儲技術的最佳解決方案之一。 目前,英特爾、美光、三星等國際知名半導體公司均在PCRAM產業化進程中取得有效進展,其中美光有多款替代NOR FLASH的產品,三星已研制出最大容量為512Mb的PCRAM試驗芯片,并投入量產,在手機存儲卡中開始應用。 上海微系統與信息技術研究所已制成的PCRAM試驗芯片存儲容量為8Mb,在8英寸硅片上的每一塊存儲芯片,存儲單元成品率達99%以上。經語音演示,已證 實該芯片可實現讀、寫、擦的存儲器全部功能。截至2010年底,該款PCRAM相變存儲器已經獲得50多項發明專利授權,150多項專利公開,相關專利分 布涵蓋從材料、結構工藝、設計到測試的芯片生產全部流程。專家表示,此款PCRAM芯片將可取代NOR FLASH等傳統存儲器,廣泛應用于手機存儲、射頻識別等多種消費型電子產品中。 宋志棠介紹說,中國半導體存儲器市場規模目前已接近1,800億元,但由于長期缺乏具有自主知識產權的制造技術,國內存儲器生產成本極為高昂。“PCRAM相變存儲器自主研制成功,使我國的存儲器芯片生產真 正擺脫國外的技術壟斷。”他表示,該款PCRAM相變存儲器預計將于今年年內投入量產,“我們計劃在10年內,將中國的存儲器自給率提高到60%”。 |
