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雖然25nm NAND工藝進展不順，但技術前進的腳步永遠不會停歇，Intel、美光今天又聯合宣布了最先進的20nm工藝。 20nm工藝依然由Intel、美光聯合投資的IM Flash Technologies(IMFT)負責制造，可以生產出容量達64Gb(或者說8GB)的MLC NAND閃存顆粒，而且核心面積僅僅118平方毫米，相比25nm 8GB NAND閃存減小30-40％。 Intel宣稱，閃存工藝從25nm進步到20nm之后，所能提供的容量可比現有34nm工藝增加大約50％，同時20nm工藝閃存顆粒的性能和耐用性仍會維持在與25nm類似的水平上。 IMFT 20nm 8GB NAND閃存顆粒已經試產，預計2011年下半年投入量產。屆時，Intel、美光將會一方面拿出容量翻番的16GB顆粒，另一方面公布面積跟一張郵票差不多大小的128GB固態硬盤。 
IMFT 20nm 64Gb NAND閃存顆粒
兩個34nm 32Gb與單個25/20nm 64Gb NAND閃存顆粒對比 |
