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ST新的智能功率半導(dǎo)體技術(shù)大幅降低電子系統(tǒng)耗電量

發(fā)布時(shí)間:2011-4-12 14:05    發(fā)布者:嵌入式公社
關(guān)鍵詞: 耗電 , 智能功率
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)展示引領(lǐng)全球的新一代智能功率技術(shù),這項(xiàng)新技術(shù)將大幅降低從醫(yī)療設(shè)備到混合動(dòng)力汽車充電器等各種電子系統(tǒng)的耗電量。

隨著全球市場(chǎng)對(duì)電子和電器設(shè)備日益增長(zhǎng)的需求,以及減少石化燃料發(fā)電的趨勢(shì),提高終端設(shè)備的能效已成為全球電子廠商的研發(fā)重點(diǎn),而這也推動(dòng)意法半導(dǎo)體研發(fā)新一代智能功率技術(shù)。

通過與全球領(lǐng)先的醫(yī)療設(shè)備廠商合作,意法半導(dǎo)體成功研制出超聲波掃描儀演示芯片,從而驗(yàn)證了這項(xiàng)新半導(dǎo)體技術(shù)商用化的可行性。這款演示芯片可以處理100多個(gè)通道,能夠滿足需要數(shù)千個(gè)通道的下一代掃描儀的需求。這是目前市場(chǎng)上現(xiàn)有技術(shù)所無(wú)法實(shí)現(xiàn)的高集成度,現(xiàn)有的芯片通常只能處理8個(gè)通道。

這項(xiàng)技術(shù)是先進(jìn)歐洲研發(fā)專案的開發(fā)成果。在歐洲,歐盟通過歐洲納電子行動(dòng)顧問委員會(huì)(ENIAC)項(xiàng)目以推動(dòng)企業(yè)在這個(gè)領(lǐng)域的研發(fā)活動(dòng)。在ENIAC的框架內(nèi),意法半導(dǎo)體與其它17家歐洲企業(yè)達(dá)成SmartPM(家電和醫(yī)療設(shè)備智能功率管理)聯(lián)盟,以滿足市場(chǎng)對(duì)能效的日益提高的需求。SmartPM聯(lián)盟包括來自比利時(shí),法國(guó),德國(guó),愛爾蘭,意大利,荷蘭,挪威,西班牙和瑞典9個(gè)國(guó)家的工商企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)。SmartPM合作伙伴共同研發(fā)創(chuàng)新的半導(dǎo)體技術(shù)、電路設(shè)計(jì)和系統(tǒng)架構(gòu)。

意法半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)部副總裁Claudio Diazzi表示:“能夠讓消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備大幅降低耗電量的半導(dǎo)體技術(shù)已在實(shí)驗(yàn)室封存多年,雖然這些技術(shù)可大幅度降低全球耗電量,但卻礙于成本過高而無(wú)法投入商用,我們相信這項(xiàng)新的智能功率技術(shù)將大幅改變這個(gè)局面。”

關(guān)于新一代智能功率技術(shù)

這項(xiàng)新技術(shù)基于意法半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)全球的整合的SOI(絕緣層上硅)襯底與0.16微米蝕刻制程的的BCD(雙極晶體管—CMOS—DMOS)智能功率半導(dǎo)體技術(shù),讓設(shè)計(jì)人員能夠在芯片上整合完全介質(zhì)隔離的高密度邏輯電路(1.8V和3.3V CMOS)與多種元器件,包括工作電壓高達(dá)300V的功率MOSFET晶體管、低噪音器件及高阻值電阻,實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)體硅襯底無(wú)法實(shí)現(xiàn)的ASIC芯片。

關(guān)于SmartPM聯(lián)盟

SmartPM聯(lián)盟的研發(fā)資金來自ENIAC聯(lián)合研發(fā)項(xiàng)目小組和各種國(guó)家級(jí)項(xiàng)目/融資機(jī)構(gòu),包括德國(guó)聯(lián)邦教育與研究部(BMBF),比利時(shí)IWT,法國(guó)經(jīng)濟(jì)、財(cái)政及工業(yè)部,法國(guó)工業(yè)處(STSI),愛爾蘭企業(yè)局,意大利教育部,歐洲科技研究促進(jìn)署,荷蘭創(chuàng)新中心,挪威科技研究委員會(huì),西班牙教育和科學(xué)部以及瑞典科技促進(jìn)局。

有關(guān)ENIAC JU和SmartPM聯(lián)盟的詳細(xì)信息,請(qǐng)?jiān)L問網(wǎng)站 www.eniac.euwww.smartpm.eu
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