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德州儀器 (TI) 推出集成FET 的業界最小型、最高效率的降壓轉換器，可為電信、網絡以及其它應用提供高達 25 A 的電流。如欲了解產品詳情，敬請訪問：www.ti.com.cn/tps56221-pr。 25 A、14 V 的TPS56221 集成NexFET MOSFET且簡單易用，與 SWIFT 開關轉換器同步，可在12 V 輸入至 1.3 V 輸出的高負載條件下，同時實現超過 200W/in3的功率密度以及超過 90% 的效率，從而可在 500 kHz 開關頻率下提供高達 25 A 的持續輸出電流。最新 TPS56121 15 A、14 V 同步開關轉換器與其它同類產品相比，不但可在 5 V 輸入至 1.2 V 輸出下將效率提高 3%，而且還可將開關速度提高 2 倍。 
TI 電源管理業務部高級副總裁 Sami Kiriaki 指出：“板裝電源通常有很多電路，因而需要更高的功率密度與電源效率，尤其是那些在更強電流下工作的系統。這兩款新產品既可將我們的 SWIFT 系列產品延伸至更強電流應用的領域，又可幫助我們的客戶在功率密度、效率以及熱管理方面有所突破，從而為終端設備實現更低的功耗和更高的可靠性。” TPS56221 與 TPS56121 采用熱增強型 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封裝，尺寸比其它分立式解決方案小 30% ，僅為 315 mm2。這兩款器件是首批集成 TI NexFET 技術的產品，可提高熱性能、保護功能、效率以及可靠性。它們不但提供 300kHz、500kHz 以及 1MHz 三種可選頻率以實現更高的設計靈活性，而且還支持 4.5 V～14 V 的寬泛輸入電壓。 TPS56221 與 TPS56121 的主要特性與優勢： • 強電流與高效率： 4.5 V～14 V 輸入電壓時，在 25 A 與15 A 峰值負載電流下，效率可超過 90%； • 小尺寸與更高功率密度：總體解決方案尺寸僅為315 mm2，可將封裝最大限度地縮小，同時實現超過 200 W/in3 的功率密度； NexFET 功率塊支持多相位 50 A、100 A 及更強電流 除 SWIFT 轉換器的強電流性能之外，TI去年推出的 CSD86350Q5D NexFET 功率塊還可在更強電流下實現高效率的多相位負載點設計。小巧的 5 毫米 x 6 毫米堆棧型 MOSFET 采用接地引線框架 SON 封裝，支持高達 1.5 MHz 的頻率，可降低熱阻抗并簡化布局。CSD86350Q5D在 25 A 電流下效率超過 90%，且還能與 TI 的 TPS40140 堆棧控制器相結合，在保持整個負載高效率的同時，支持多相位設計；其電流可擴展至 50 A、100 A 以及更高。 廣泛的降壓轉換器產品系列 TI 可提供業界最廣泛的降壓轉換器，其中包括集成FET 的 DC/DC 轉換器、支持外部 MOSFET 的 TPS40K DC/DC 控制器以及全面集成型電源解決方案，如集成電感器的最新 TPS84620 等。 供貨情況 TPS56221 與 TPS56121 采用22 引腳 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封裝，該封裝有一個PowerPad™ 散熱焊盤，易于焊接。樣片與評估板將于 3 月底面市。 查閱有關 TI 電源產品與設計工具的更多信息： • 預定 TPS56221 與 TPS56121 的樣片，訂購 TPS56221EVM-579 或 TPS56121EVM-601 的評估板：www.ti.com.cn/tps56221-pr； • NexFET 功率塊 CSD86350Q5DEVM-604 評估板：www.ti.com.cn/csd86350q5devm-pr； • Power Stage Designer 軟件設計工具：www.ti.com.cn/powerstagedesigner-pr； • SWIFT DC/DC 降壓轉換器產品系列：www.ti.com.cn/swift； • NexFET 功率 MOSFET 產品系列：www.ti.com.cn/mosfet。
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