減少開關損耗：儒卓力提供來自羅姆的節能SiC-MOSFET

發布時間：2020-8-27 09:24 發布者：eechina

關鍵詞：碳化硅 , MOSFET , SiC

羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結構(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統3引腳封裝類型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開關性能，并將開關損耗降低多達35%。SiC-MOSFET特別適合在服務器電源、UPS系統、太陽能逆變器和新能源汽車充電站中的節能使用。儒卓力在電子商務網站www.rutronik24.com.cn上提供這些器件。

通過使用TO-247-4L封裝，驅動器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著降低功耗，對于必須提供不間斷電源的高性能應用尤其具有吸引力。特別是隨著先進AI和IoT的發展，對于云服務的需求不斷增長，數據中心面臨著在降低功耗的同時還要提高容量和性能的挑戰。

配套評測板(P02SCT3040KR-EVK-001)帶有針對驅動SiC器件而優化的柵極驅動器IC (BM6101FV-C)。多個電源IC和分立組件有利于應用評測和開發。由于兼容兩種封裝類型(TO-247-4L和TO-247N)，可在相同的條件下進行評測。這個評測板可用于升壓電路、2級逆變器和同步整流降壓電路中的雙脈沖測試和組件評測。

如要了解有關羅姆新型SiC-MOSFET器件和直接訂購選項的更多信息，請訪問儒卓力電子商務平臺www.rutronik24.com.cn。

https://www.rutronik24.com.cn/se ... %20TMOS3024/reset:0

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