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英飛凌科技股份公司為其1200 V CoolSiC MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業標準模塊封裝產品。它采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計，以及溝槽柵芯片技術，為碳化硅打開了250kW以上（硅IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限）中等功率應用的大門。在傳統62mm IGBT模塊基礎上，將碳化硅的應用范圍擴展到了太陽能、服務器、儲能、電動汽車充電樁、牽引以及商用感應電磁爐和功率轉換系統等。 該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片，可實現極高的電流密度。其極低的開關損耗和傳導損耗可以最大限度地減少冷卻器件的尺寸。在高開關頻率下運行時，可使用更小的磁性元件。借助英飛凌CoolSiC芯片技術，客戶可以設計尺寸更小的逆變器，從而降低整體系統成本。 它采用62mm標準基板和螺紋接口，具有高魯棒性的結構設計，從而最大限度地優化并提高系統可用性，同時降低維修成本并減少停機損失。出色的溫度循環能力和150°C的連續工作溫度（Tvjop），帶來出色的系統可靠性。其對稱的內部設計，使得上下開關有了相同的開關條件�？梢赃x裝“預處理熱界面材料”（TIM）配置，進一步提高模塊的熱性能。 供貨情況 采用62 mm封裝的1200 V CoolSiC MOSFET有6mΩ/ 250 A、3mΩ/ 357 A和2mΩ/ 500A型號可供選擇。它還有專為快速特性評估（雙脈沖/連續工作）而設計的評估板可供選擇。為了便于使用，它還提供了可靈活調整的柵極電壓和柵極電阻。同時，還可作為批量生產驅動板的參考設計使用。更多信息，請訪問：www.infineon.com/sic-mosfet-modules， www.infineon.com/SiC。 |
