U-boot-2009.08移植TE2440II開發板--支持Norflash

發布時間：2011-3-23 13:42 發布者：techshare

關鍵詞： NorFlash , TE2440II , U-BOOT , 開發板 , 移植

TE2440II開發板使用的Norflash是INTEL的JS28F320J3D75，4M，32個block,每個128KB。本文添加對Norflash的支持，使Uboot可以燒錄到Norflash，從Norflash啟動，并執行Norflash下的命令。
這樣需要注釋掉 /include/configs/TE2440II.h中的
#define CONFIG_SKIP_LOWLEVEL_INIT 1
//#define CONFIG_SKIP_RELOCATE_UBOOT 1
把include/configs/TE2440II.h的Physical Memory Map和FLASH and environment organization修改為，這里添加了/board/cmi/flash.c中部份變量的宏定義。FLASH and environment organization這里的sector指的是手冊中的bank，所以大小是128KB，為32塊。#define CONFIG_ENV_ADDR (CONFIG_SYS_FLASH_BASE + 0x40000)，這個偏移是自己定的，是放環境變量的，只要不在uboot的代碼區就可以。
CONFIG_SYS_FLASH_ERASE_TOUT和CONFIG_SYS_FLASH_WRITE_TOUT是超時的時間，如果小了，自己改大些。cpu/arm920t/s3c24x0/timer.c中講述了怎么獲得時間的。
/*-----------------------------------------------------------------------
* Physical Memory Map
*/
#define CONFIG_NR_DRAM_BANKS 1 /* we have 1 bank of DRAM */
#define PHYS_SDRAM_1 0x30000000 /* SDRAM Bank #1 */
#define PHYS_SDRAM_1_SIZE 0x04000000 /* 64 MB */
#define PHYS_FLASH_1 0x00000000 /* Flash Bank #1 */
#define CONFIG_SYS_FLASH_BASE PHYS_FLASH_1
#define FLASH_BASE0_PRELIM PHYS_FLASH_1
#define CONFIG_SYS_MONITOR_BASE TEXT_BASE
/*-----------------------------------------------------------------------
* FLASH and environment organization
*/
#define CONFIG_SYS_MAX_FLASH_BANKS 1 /* max number of memory banks */
#define CONFIG_INTEL_JS28F320 1
#define PHYS_FLASH_SIZE 0x400000 /* 4M */
#define CONFIG_SYS_MAX_FLASH_SECT 32
#define CONFIG_ENV_ADDR (CONFIG_SYS_FLASH_BASE + 0x40000)
/* timeout values are in ticks */
#define CONFIG_SYS_FLASH_ERASE_TOUT (2*CONFIG_SYS_HZ) /* Timeout for Flash Erase */
#define CONFIG_SYS_FLASH_WRITE_TOUT (2*CONFIG_SYS_HZ) /* Timeout for Flash Write */
#define CONFIG_ENV_IS_IN_FLASH 1
#define CONFIG_ENV_SIZE 0x20000 /* Total Size of Environment Sector */
#endif /* __CONFIG_H */
用board/cmi/下的flash.c文件替換board/samsung/TE2440II/下的flash.c，因為cmi目錄下的正好是JS28F320J3D75的驅動文件。刪除這個write_short函數的申明和定義、刪除write_buff函數。替換成下面的兩個函數：
/******************************************************************************************************
* Copy memory to flash.
*/
int write_buff (flash_info_t *info, uchar *src, ulong addr, ulong cnt)
{
ulong cp, wp;
ushort data;
int l;
int i, rc;
wp = (addr & "1); /* get lower word aligned address */
/*
* handle unaligned start bytes
*/
if ((l = addr - wp) != 0)
{
data = 0;
for (i=0, cp=wp; i＜l; ++i, ++cp) {
data = (data ＞＞ 8) | (*(uchar *)cp ＜＜ 8);
}
for (; i＜2 && cnt＞0; ++i) {
data = (data ＞＞ 8) | (*src++ ＜＜ 8);
--cnt;
++cp;
}
for (; cnt==0 && i＜2; ++i, ++cp) {
data = (data ＞＞ 8) | (*(uchar *)cp ＜＜ 8);
}
if ((rc = write_word(info, wp, data)) != 0) {
return (rc);
}
wp += 2;
}
/*
* handle word aligned part
*/
while (cnt ＞= 2) {
data = *((vu_short*)src);
if ((rc = write_word(info, wp, data)) != 0) {
return (rc);
}
src += 2;
wp += 2;
cnt -= 2;
}
if (cnt == 0) {
return ERR_OK;
}
/*
* handle unaligned tail bytes
*/
data = 0;
for (i=0, cp=wp; i＜2 && cnt＞0; ++i, ++cp) {
data = (data ＞＞ 8) | (*src++ ＜＜ 8);
--cnt;
}
for (; i＜2; ++i, ++cp) {
data = (data ＞＞ 8) | (*(uchar *)cp ＜＜ 8);
}
return write_word(info, wp, data);
}
/******************************************************************************************************
* Copy memory to flash.
*/
static int write_word (flash_info_t *info, ulong dest, ushort data)
{
vu_short *addr = (vu_short *)dest, val;
int rc = ERR_OK;
int flag;
/* Check if Flash is (sufficiently) erased , fix by kavin*/
if ((*addr & data) != data)
return ERR_NOT_ERASED;
/*
* Disable interrupts which might cause a timeout
* here. Remember that our exception vectors are
* at address 0 in the flash, and we don't want a
* (ticker) exception to happen while the flash
* chip is in programming mode.
*/
flag = disable_interrupts();
/* clear status register command */
*addr = 0x50;
/* program set-up command */
*addr = 0x40;
/* latch address/data */
*addr = data;
/* arm simple, non interrupt dependent timer */
reset_timer_masked();
/* wait while polling the status register */
while(((val = *addr) & 0x80) != 0x80)
{
if (get_timer_masked() ＞ CONFIG_SYS_FLASH_WRITE_TOUT) {
rc = ERR_TIMOUT;
/* suspend program command */
*addr = 0xB0;
goto outahere;
}
}
if(val & 0x1A) { /* check for error */
printf("\nFlash write error %02x at address %08lx\n",
(int)val, (unsigned long)dest);
if(val & (1＜＜3)) {
printf("Voltage range error.\n");
rc = ERR_PROG_ERROR;
goto outahere;
}
if(val & (1＜＜1)) {
printf("Device protect error.\n");
rc = ERR_PROTECTED;
goto outahere;
}
if(val & (1＜＜4)) {
printf("Programming error.\n");
rc = ERR_PROG_ERROR;
goto outahere;
}
rc = ERR_PROG_ERROR;
goto outahere;
}
outahere:
/* read array command */
*addr = 0xFF;
if (flag)
enable_interrupts();
return rc;
}
修改flash.c文件中的一個宏定義：
把：
#define FLASH_BLOCK_SIZE 0x00010000
改為：
#define FLASH_BLOCK_SIZE 0x00020000
修改開發板目錄下的lowlevel_init.S文件中SDARM刷新參數為：
#define REFCNT 1258 /* period=7.8125us, HCLK=405/4 Mhz, (2048+1-7.8125*405/4) */
Lowlevel_init.S中對SDRAM進行了初始化，因為我們要把第二階段的代碼搬運到SDRAM中，REFCNT是刷新計數器，這個在移植的時候是一定要修改的。手冊上有公式：Refresh period = (2^11-refresh_count+1)/HCLK，我使用的這款芯片在datasheet寫著8192Refresh cycle/64ms，所以一個刷新周期為64ms/8192=7.8125us。目前公認的標準是，存儲體中電容中數據有效保存期上限是64ms,也就是說每一行刷新的循環周期是64ms，這樣刷新的速度就是：行數量/64ms。我的理解是CPU并不知道你用的SDRAM的刷新速度是多少，特殊功能寄存器也沒有直接傳遞刷新速度的位，但是有一個刷新計數器，可以通過刷新計數器間接獲得刷新速度，所以要設定刷新計數器。
然后就可以燒錄Norflash了。

李萬鵬

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