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Microsemi發(fā)布全面性太陽能技術(shù)產(chǎn)品系列

發(fā)布時間:2011-3-18 11:37    發(fā)布者:嵌入式公社
關(guān)鍵詞: IGLOO , SmartFusion , 太陽能
美高森美公司(Microsemi) 宣布其太陽能技術(shù)產(chǎn)品系列現(xiàn)已供貨。美高森美面向可再生能源應(yīng)用的產(chǎn)品包括SmartFusion和IGLOO FPGA;模擬及混合信號器件如旁路二極管/開關(guān)、MOSFET、FRED和IGBT;DC-DC轉(zhuǎn)換器,以及脈寬調(diào)制(PWM)模塊。這一種類豐富的產(chǎn)品系列能夠在整個范圍的光伏(PV)應(yīng)用中實現(xiàn)高效、可靠且具有成本效益的解決方案,包括獲取電能、功率管理、功率開關(guān)和功率監(jiān)控。

• 太陽能旁路二極管用于獲取電能

LX2400 IDEAL太陽能旁路器件采用Microsemi專利CoolRUN技術(shù),在光伏模塊應(yīng)用中提供一個旁路通道。該器件具有業(yè)界最低的正向電壓降,可在工作期間實現(xiàn)極低的發(fā)熱和溫升。LX2400具有同級最佳的可靠性和穩(wěn)健性,用于需要經(jīng)由模塊接線盒獲得10A或更高電流的應(yīng)用。

Microsemi新型肖特基勢壘光伏旁路二極管是世界上最薄的型款,其厚度僅為0.74 mm,可讓客戶將其集成在玻璃下面,省去接線盒。這超薄尺寸旁路二極管也可以用于縮減接線盒尺寸。SFDS系列10A二極管是專為太陽能面板而設(shè)計的,采用獨特的靈活的銅質(zhì)引腳,具有經(jīng)過衛(wèi)星應(yīng)用驗證的高可靠性。

美高森美除了提供上述的獨特封裝之外,還提供采用軸向、表面安裝和通孔安裝的廣泛的肖特基旁路二極管,其標準電流范圍是10A至18A,電壓范圍為20 V至45 V,并同時提供設(shè)計和構(gòu)建選項,提供電流高達60 A和電壓高達200V的定制器件。

• SmartFusion和IGLOO FPGA用于功率管理和控制

Microsemi SmartFusion混合信號FPGA和IGLOO低功耗FPGA采用基于快閃技術(shù)的架構(gòu),是幫助逆變器設(shè)計人員實現(xiàn)效率最大化,以及在較小的占位面積中集成板級功能的理想選擇。功能和算法包括更多數(shù)量的PWM狀態(tài)機,最大功率點追蹤(MPPT)和功率因數(shù)校正(PFC)等,可在嵌入式32位ARM Cortex-M3或邏輯門之內(nèi)進行劃分,以適合各種設(shè)計需求。

• IGBT, MOSFET, FRED和DC-DC轉(zhuǎn)換器用于功率監(jiān)控

新型600 V CoolMOS C6器件采用第五代高電壓超級結(jié)技術(shù),實現(xiàn)極低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗,可實現(xiàn)具有更高效率和功率密度水平的開關(guān)系統(tǒng)設(shè)計。

由于傳導(dǎo)損耗則在總體系統(tǒng)損耗方面占據(jù)主導(dǎo)地位,新型MOS 8 IGBT已經(jīng)針對低工作頻率(10 KHz — 30 KHz)而優(yōu)化。MOS 8 PT IGBT產(chǎn)品系列則在2.0 V (600 VBR(CES)) 和2.5 V (900 VBR(CES))下提供低傳導(dǎo)損耗特性。

美高森美除了提供具有多種功率模塊電氣和機械配置的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品之外,還提供IGBT、MOSFET和FRED,推動實現(xiàn)更高效的新型轉(zhuǎn)換器拓撲,如三級逆變器、交錯式PFC升壓轉(zhuǎn)換器及矩陣轉(zhuǎn)換器。

此外,美高森美不斷擴大的DC/DC產(chǎn)品系列支持高達40V的輸入電壓,以及最高40A的廣泛輸出電流范圍。該系列器件包括內(nèi)置功率FET的開關(guān)調(diào)節(jié)器,以及采用外部功率FET并可在最高2 MHz頻率下運作的控制器。

• FPGA用于功率監(jiān)控

SmartFusion智能混合信號FPGA在單一IC平臺上集成了模擬前端、嵌入式ARM Cortex-M3處理器和可編程邏輯資源。這一靈活性為設(shè)計人員提供了開發(fā)低功耗的可適配平臺的能力,能夠精確地監(jiān)控實時負載數(shù)據(jù),同時滿足多種安全連接性協(xié)議的要求。

要獲得美高森美的太陽能技術(shù)產(chǎn)品系列的全部信息,請訪問網(wǎng)站: www.actel.com/solar.
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