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東芝面向中大電流IGBT/MOSFET推出內置保護功能的光耦

發布時間:2020-3-10 18:48    發布者:eechina
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出“TLP5231”,這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和MOSFET的預驅動光耦,適用于工業逆變器和光伏(PV)的功率調節系統。這款全新的預驅動光耦內置多種功能[1],其中包括通過監控集電極電壓實現過流檢測。產品于今日起開始出貨。


TLP5231產品示意圖

新型預驅動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器,來控制中大電流IGBT和MOSFET。

目前現有產品[2]需要使用雙極型晶體管構成的緩沖電路來實現電流放大,這會在工作中消耗基極電流。新產品能夠使用外部互補MOSFET緩沖器,僅在緩沖器MOSFET的柵極充電或放電時消耗電流,有助于降低功耗。

通過改變外部互補MOSFET緩沖器的大小,TLP5231能夠為各種IGBT和MOSFET提供所需的柵極電流。TLP5231、MOSFET緩沖器以及IGBT/MOSFET的配置可用作平臺來滿足系統的功率需求,從而簡化設計。

其他功能包括:在檢測到VCE(sat)過流后使用另一個外部N溝道MOSFET控制“柵極軟關斷時間”;另外,除了能通過監控集電極電壓檢測到VCE(sat)之外,還有UVLO[3]檢測,將任意故障信號輸出到一次側。以上這些現有產品[2]不具備的新特性,能夠讓TLP5231幫助用戶更輕松地設計柵極驅動電路。

應用:
・IGBT與功率MOSFET柵極驅動(預驅動)
・交流電機和直流無刷電機控制
・工業逆變器與不間斷電源(UPS)
・光伏(PV)電源調節系統

特性:
・內置有源時序控制的雙輸出,適用于驅動P溝道和N溝道互補MOSFET緩沖器。
・當檢測到過流時,通過使用另一個外部N溝道MOSFET實現可配置柵極軟關斷時間。
・當監控集電極電壓檢測到過流時或UVLO時,故障信號會輸出到一次側。

主要規格:
(除非另有說明,@Ta=-40至110℃,典型值@Ta=25℃)
器件型號
TLP5231
絕對最大額定值峰值高電平輸出電流IOPH(A)-2.5
峰值低電平輸出電流IOPL(A)2.5
電氣特性VOUTP高電平輸出電流IOUTPH最大值(A)-1
VOUTP低電平輸出電流IOUTPL最小值(A)1
VOUTN高電平輸出電流IOUTNH最大值(A)-1
VOUTN低電平輸出電流IOUTNL最小值(A)1
高電平供電電流(VCC2)ICC2H最大值(mA)10.2
低電平供電電流(VCC2)ICC2L最大值(mA)10.2
高電平供電電流(VEE)IEEH最小值(mA)-9.2
低電平供電電流(VEE)IEEL最小值(mA)-9.2
閾值輸入電流(H/L)IFHL最大值(mA)3.5
建議工作條件總輸出供電電壓(VCC2-VEE)(V)21.5至30
負輸出供電電壓(VE-VEE)(V)6.5至15
正輸出供電電壓(VCC2-VE)(V)15至23.5
開關特性傳播延遲時間(L/H)tpLH(ns)100至300
傳播延遲時間(H/L)tpHL(ns)100至300
傳播延遲偏差(器件到器件)tpsk(ns)-200至200
高電平共模瞬態抑制±25
CMH最小值(kV/μs)
高電平共模瞬態抑制±25
CML最小值(kV/μs)
功能保護功能IGBT VCE(sat)檢測、
欠壓鎖定(UVLO)[4]
反饋(故障):在檢測到VCE(sat)或UVLO(集電極開路輸出)時激活
隔離特性隔離電壓BVS最小值(Vrms)5000
(@Ta=25℃)
機械參數最小電氣間隙(mm)8
最小爬電距離(mm)8
內部最小隔離厚度(mm)0.4
庫存查詢與購買
在線購買


注釋:
[1] 柵極信號軟關斷、故障反饋功能
[2] TLP5214、TLP5214A
[3] UVLO:欠壓鎖定
[4] 常見VE

如需了解相關新產品的更多信息,請訪問:
TLP5231
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/detail.TLP5231.html
如需了解相關東芝光半導體產品線的更多信息,請訪問:
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/product/opto.html
如需了解相關新產品在線分銷商網站的供貨情況,請訪問:
TLP5231
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TLP5231.html


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