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　　產品來源：

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制造商	Advanced Semiconductor， Inc.
產品種類	射頻(RF)雙極晶體管
RoHS	符合
晶體管類型	Bipolar Power
技術	Si
晶體管極性	NPN
直流集電極/Base Gain hfe Min	20
集電極—發射極最大電壓 VCEO	18 V
發射極 - 基極電壓 VEBO	4 V
集電極連續電流	4 A
最小工作溫度	- 65 C
最大工作溫度	+ 200 C
安裝風格	Screw Mount
封裝 / 箱體	SOT-123
封裝	Tray
工作頻率	175 MHz
類型	RF Bipolar Power
商標	Advanced Semiconductor， Inc.
Pd-功率耗散	65 W
產品類型	RF Bipolar Transistors
子類別	Transistors