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歐姆定律不一定適用 對(duì)更小尺寸、更低功耗電子器件的需求推動(dòng)了納米技術(shù)的發(fā)展。研究人員努力理解量子能級(jí)結(jié)構(gòu)和納米級(jí)器件的行為以及這些如何影響電氣特性。這使觀察或預(yù)測(cè)何時(shí)發(fā)生隧道效應(yīng)，計(jì)算器件的能態(tài)密度，理解低溫環(huán)境下的導(dǎo)電現(xiàn)象以及產(chǎn)生人造原子（其中能量量化可以基于材料的結(jié)構(gòu)和形狀進(jìn)行修改）成為可能。 在宏觀世界中，導(dǎo)體有可能遵守歐姆定律。在納米技術(shù)領(lǐng)域中，歐姆對(duì)電阻的定義常常不再適用。納米級(jí)器件I-V曲線的斜率可能不是材料的基本常數(shù)。因此，為了研究納米器件需要測(cè)量I-V曲線在大量點(diǎn)上的斜率。微分電導(dǎo)（dG = dI/dV）曲線是針對(duì)納米級(jí)器件最重要的測(cè)量之一，但是此測(cè)量也提出了一系列特殊的挑戰(zhàn)。幸好，新的測(cè)量技術(shù)使這類研究變得更簡單。 下載： 
新的微分電導(dǎo)測(cè)量方法以更低成本、更快地揭示納米器件特性.pdf
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