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目前看來(lái)，碳納米管的潛在用途是無(wú)窮無(wú)盡的，僅在半導(dǎo)體行業(yè)就存在著大量的潛在應(yīng)用。研究人員已經(jīng)成功將碳納米管用于FET開(kāi)關(guān)、消費(fèi)電子存儲(chǔ)器，以及下一代電視機(jī)的場(chǎng)發(fā)射顯示器中。研究人員還在嘗試在傳感器應(yīng)用中利用碳納米管來(lái)探測(cè)分子顆粒，支持某些國(guó)家安全類(lèi)的應(yīng)用。此外，人們還在努力探索在數(shù)字邏輯中使用碳納米管。 對(duì)于碳納米管和其它一些低功耗納米器件，從事半導(dǎo)體和納米技術(shù)研究的人們一直面臨著諸多挑戰(zhàn)。其中一大挑戰(zhàn)就是，無(wú)論對(duì)于當(dāng)前一代半導(dǎo)體器件，還是對(duì)于下一代納米電子器件，對(duì)極其微小的電路單元進(jìn)行電氣特征分析都是很困難的。 第二大挑戰(zhàn)是，當(dāng)功耗限制變得非常關(guān)鍵時(shí)，如何對(duì)下一代納米器件進(jìn)行特征分析。隨著器件和元件的特征尺寸縮小到納米級(jí)，研究人員不得不限制用于特征分析的電信號(hào)強(qiáng)度。 最后，對(duì)納米器件進(jìn)行探測(cè)始終是一大挑戰(zhàn)。隨著晶體管柵極特征尺寸小于90nm以及間距大小不斷縮減，大多數(shù)探測(cè)系統(tǒng)的最小探測(cè)點(diǎn)尺寸卻仍然保持在50微米左右。這一局限性在很大程度上導(dǎo)致探針移動(dòng)和針尖尺寸不準(zhǔn)確。必須采用具有納米級(jí)移動(dòng)精度并且電流測(cè)量精度高于1pA的新探測(cè)工具（如圖1所示）才能解決這個(gè)問(wèn)題。 本文將著重介紹對(duì)碳納米管、低功耗器件進(jìn)行特征分析的測(cè)量技術(shù)，以及克服各種測(cè)量誤差的方法。 下載： 
碳納米管和低功耗納米器件電氣特征分析的技巧.pdf
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