長江存儲9月2日宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。作為中國首款64層3D NAND閃存，該產(chǎn)品將亮相IC China 2019紫光集團展臺。
長江存儲64層3D NAND閃存晶圓 長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking架構設計并實現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品中最高的存儲密度。Xtacking可實現(xiàn)在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利于選擇更先進的制造工藝。當兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構，Xtacking可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。 作為集成器件制造商(IDM -Integrated Device Manufacturer)，長江存儲致力于為全球客戶提供完整的存儲解決方案及服務，并計劃推出集成64層3DNAND閃存的固態(tài)硬盤、UFS等產(chǎn)品，以滿足數(shù)據(jù)中心，以及企業(yè)級服務器、個人電腦和移動設備制造商的需求。 長江存儲一貫重視核心技術的自主研發(fā)和創(chuàng)新，Xtacking技術的研發(fā)成功和64層3DNAND閃存的批量生產(chǎn)標志著長江存儲已成功走出了一條高端芯片設計制造的創(chuàng)新之路。 今后，長江存儲仍將持續(xù)投入研發(fā)資源，以通過技術和產(chǎn)品的迭代，使每一代產(chǎn)品都具備強勁的市場競爭力，更好地滿足全球客戶的需求。 長江存儲聯(lián)席首席技術官、技術研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華表示：“通過將Xtacking架構引入批量生產(chǎn)，能夠顯著提升產(chǎn)品性能，縮短開發(fā)周期和生產(chǎn)制造周期，從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發(fā)展。”程衛(wèi)華還提到，“隨著5G，人工智能和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心時代的到來，閃存市場的需求將持續(xù)增長。長江存儲64層3DNAND閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)將為全球存儲器市場健康發(fā)展注入新動力�！� |
