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[供應] AO4618那些事兒

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發(fā)表于 2019-8-30 16:11:06 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
AO4618那些事兒

一般說明
       AO4618采用先進的溝槽技術,可提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這種互補的N和P溝道MOSFET配置是低輸入電壓逆變器應用的理想選擇。

產(chǎn)品摘要
N-ChannelP-Channel
VDS=40V40V
ID=8A(VGS=10V)-7A(VGS=-10V)
RDS(ON) RDS(ON)
<19m (VGS=10V)<23m (VGS=-10V)
<27m (VGS=4.5V)<30m (VGS=-4.5V)
100% UIS Tested 100% UIS Tested
100% RgTested 100% Rg Tested

規(guī)格參數(shù)
描述:MOSFET N/P-CH 40V 8A/7A 8SOIC
類別:分離式半導體產(chǎn)品
系列:-
FET特點:邏輯電平門
電流-連續(xù)漏極(ld)@25°C:8A,7A
Id 時的Vgs(th)(最大):2.4V@250uA
輸入電容(Ciss)@Vds:422pF@20V
安裝類型:表面貼裝
供應商設備封裝:8-SOIC
家庭:FET-陣列
FET型:N和P溝道
漏極至源極電壓(Vdss):40V
開態(tài)Rds(最大)@Id,Vgs@25°C:19室歐@8A,10V
閘電荷(Qg)@Vgs:9nC@10V
功率-最大:2W
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm寬)
包裝:帶卷(TR)

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