|
LPDDR4X 批量生產(chǎn)進入1z 納米 DRAM 工藝節(jié)點 美光科技股份有限公司推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個智能手機中提供高達 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM)，顯示了美光為當前和下一代移動設(shè)備提供卓越內(nèi)存容量和性能的前沿地位。 美光 LPDDR4X基于 UFS多芯片封裝 (uMCP4)，滿足了移動設(shè)備制造商對于低功耗以延長電池壽命，以及更小尺寸、纖薄設(shè)計、有吸引力的設(shè)備外形的需求。美光已經(jīng)開始批量生產(chǎn)其 LPDDR4X 和 uMCP4，引領(lǐng)行業(yè)向 1z 納米工藝節(jié)點過渡。 “數(shù)據(jù)密集型移動應(yīng)用程序不斷推動著消費者對于大容量內(nèi)存和存儲的需求，這種需求不僅出現(xiàn)在旗艦智能手機中，而且出現(xiàn)在中高端移動設(shè)備中，”美光科技移動產(chǎn)品事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理 Raj Talluri 博士表示，“新一代 16Gb LPDDR4X 旨在滿足當今數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序的需求，同時確保滿足未來邊緣端高級人工智能處理和高帶寬 5G 應(yīng)用的需求。” 美光 LPDDR4X 在同等尺寸條件下為分立式設(shè)計和低功耗多芯片封裝提供了更高的密度，以滿足更廣泛的智能手機用戶群體的需求。新興的 5G 移動技術(shù)需要一個能夠提供更高數(shù)據(jù)率和實時數(shù)據(jù)處理的內(nèi)存子系統(tǒng)，從而為移動設(shè)備用戶提供絕佳的體驗。 美光1z 納米 LPDDR4X 產(chǎn)品具備業(yè)界最低的能耗，同時保持了LPDDR4 最高的時鐘頻率，高達 4,266兆位/秒 (Mbps)。與上一代針對 4K 視頻播放等內(nèi)存密集型應(yīng)用的解決方案相比，美光1z 納米 LPDDR4X的能耗降低了 10%。LPDDR4X作為目前業(yè)內(nèi)最高容量的單片式 16Gb LPDDR4X 裸晶（單個封裝中堆疊多達 8 個裸晶），與前幾代 LPDDR4相比，可在不增加封裝尺寸的條件下，實現(xiàn)內(nèi)存容量的翻倍。 美光 LPDDR4X 內(nèi)存解決方案現(xiàn)已批量供貨，提供分立式解決方案和八種不同配置的基于 UFS 的多芯片封裝 (uMCP4)，可選擇范圍從 64GB + 3GB組合至 256GB + 8GB組合。uMCP4滿足了日益增長的中高端市場對于類似旗艦智能手機性能的內(nèi)存需求。 |
