半導體制造設備及服務供應商泛林集團宣布推出全新解決方案，幫助客戶提高芯片存儲密度，以滿足人工智能和機器學習等應用的需求。通過推出用于背面薄膜沉積的設備VECTOR DT和用于去除背面和邊緣薄膜的濕法刻蝕設備EOS GS，泛林集團進一步拓展了其應力管理產品組合。
高深寬比沉積和刻蝕工藝是實現3D NAND技術持續發展的關鍵因素。隨著工藝層數的增加，其累積的物理應力越來越大，如何控制由此引起的晶圓翹曲已成為制造過程中的一個主要挑戰。嚴重的晶圓翹曲會影響光刻焦深、層與層之間的對準、甚至導致圖形結構畸變，從而降低產品的良率。為了提高整體良率，需要對整個制造工藝中多個步驟在晶圓、晶片和圖形層面的應力進行細致管理，甚至因此放棄一些可提升產品性能的工藝步驟。 VECTOR DT系統是泛林集團等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）產品系列的最新產品，旨在為控制3D NAND制造中的晶圓翹曲提供一種高性價比的解決方案。在完全不接觸晶圓正面的情況下，VECTOR DT可在晶圓背面沉積一層可調節、高應力、高質量的薄膜，一步到位地拉平翹曲的晶圓，改善光刻結果，減少由翹曲引起的諸多問題。VECTOR DT問世之初便得以廣泛采用，隨著主流3D NAND產品向96層以上推進，其機臺安裝數量將會持續增長。 除了沉積高應力薄膜，泛林集團還提供了背面刻蝕的技術，客戶可根據工藝需要，在3D NAND制造流程中靈活地調整晶圓應力。泛林集團的濕法刻蝕產品EOS GS擁有業界領先的濕法刻蝕均勻度，能在充分保護晶圓正面的前提下，同時去除背面和邊緣的薄膜，與VECTOR DT形成有力互補。作為晶圓翹曲管理解決方案的一部分，泛林集團的EOS GS也被全球存儲芯片制造商廣泛采用。 泛林集團副總裁兼沉積產品事業部總經理Sesha Varadarajan表示：“隨著客戶產品的存儲單元層數持續、大幅的增加，累積應力和晶圓翹曲會超過光刻設備處理能力的極限。為了達到預期良率，實現單位字節成本降低的路線圖，將應力引起的畸變降至最低至關重要。伴隨VECTOR DT和EOS GS產品的推出，我們擴大了現有的應力管理解決方案組合，能夠全面管理晶圓生產中的應力，支持客戶縱向技術的持續發展。” |
