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擁有業(yè)界最低讀取電流的內(nèi)存 適用于小型穿戴裝置 富士通電子元器件（上海）有限公司今日宣布，推出業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM---“MB85AS8MT”，此款ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品由富士通與松下電器半導(dǎo)體(Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.)合作開發(fā)，將于今年9月開始供貨。MB85AS8MT是采用SPI接口并與帶電可擦可編程只讀存儲器 (EEPROM) 兼容的非揮發(fā)性內(nèi)存，能在1.6至3.6伏特之間的廣泛電壓范圍運作。其一大特色是極低的平均電流，在5MHz工作頻率下僅需0.15mA讀取數(shù)據(jù)，這讓需透過電池供電且經(jīng)常讀取數(shù)據(jù)的裝置能達(dá)到最低功耗。MB85AS8MT采用極小的晶圓級封裝 (WL-CSP)，所以非常適用于需電池供電的小型穿戴裝置，包括助聽器、智能手表及智能手環(huán)等。 
MB85AS8MT采用極小的晶圓級封裝 (WL-CSP)
MB85AS8MT的三大特色與相關(guān)應(yīng)用 富士通電子提供各種鐵電隨機存取內(nèi)存 (FRAM)產(chǎn)品，能提供比EEPROM與閃存更高的耐寫次數(shù)與更快的寫入速度。富士通電子的FRAM產(chǎn)品以最佳的非揮發(fā)性內(nèi)存聞名，尤其是需要非常頻繁記錄及保護(hù)寫入的數(shù)據(jù)以避免突然斷電時導(dǎo)致數(shù)據(jù)遺失。但同時，也有些客戶提出需要較低電流讀取運作的內(nèi)存，因為他們的應(yīng)用僅需少量的寫入次數(shù)，卻極頻繁地讀取數(shù)據(jù)。 為滿足此需求，富士通電子特別開發(fā)出新型態(tài)的非揮發(fā)性ReRAM內(nèi)存“MB85AS8MT”，兼具“高密度位存取”及“低讀取電流”的特色。其為全球最高密度的8Mbit ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品，采用SPI接口、支持1.6至3.6伏特的廣泛電壓，且包含指令與時序在內(nèi)的電氣規(guī)格都兼容于EEPROM產(chǎn)品。 “MB85AS8MT”最大的特色在于即使擁有超高密度，仍能達(dá)到極小的平均讀取電流。例如，在5MHz的工作頻率下，平均讀取電流為0.15mA，僅相當(dāng)于高密度EEPROM器件所需電流的5%。 因此，在需要透過電池供電的產(chǎn)品中，像是特定程序讀取或設(shè)定數(shù)據(jù)讀取這類需要頻繁讀取數(shù)據(jù)的應(yīng)用中，透過此內(nèi)存的超低讀取電流特性，該產(chǎn)品即能大幅降低電池的耗電量。
在5MHz的工作頻率下，MB85AS8MT的平均讀取電流僅為高密度EEPROM器件的5% 除了提供與EEPROM兼容的8針腳小外形封裝 (SOP) 外，還可提供2mm x 3mm的超小型1針腳WL-CSP，適用于裝設(shè)在小型穿戴裝置中。
MB85AS8MT也可提供2mm x 3mm的超小型11針腳WL-CSP 高密度內(nèi)存與低功耗的MB85AS8MT采用極小封裝規(guī)格，成為最適合用于需以電池供電的小型穿戴裝置的內(nèi)存，例如助聽器、智能手表及智能手環(huán)等。 富士通電子將持續(xù)致力研發(fā)最佳內(nèi)存，支持客戶對各種特殊應(yīng)用的需求。 關(guān)鍵規(guī)格 · 器件型號：MB85AS8MT · 內(nèi)存密度 (組態(tài))：8 Mbit (1M字符x 8位) · 界面：序列外圍接口 (SPI) · 運作電壓：1.6V至3.6V · 運作頻率：最高10MHz · 低功耗：讀取運作電流0.15mA (5MHz下取平均值) · 寫入周期時間：10ms · 分頁容量：256 bytes · 保證寫入周期：100萬次 · 保證讀取周期：無限 · 數(shù)據(jù)保留：10年 (最高耐熱達(dá)85°C) · 封裝：11-pin WL-CSP與8-pin SOP |
