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Nexperia的PMDXB600UNEL是一款雙N溝道增強型MOSFET，其最大漏-源電壓額定值為20V。下面具體來了解一下相關(guān)知識。 PMDXB600UNEL采用小型、無引線DFN1010B-6（SOT1216）表面貼裝封裝，尺寸為1.1mm×1.0mm×0.37mm，以其極低漏電流而聞名。 在25°C下、漏源電壓為5V時，漏極漏電流最大為25nA，同樣25°C下、柵源電壓為±1.8V時，柵極漏電流最大為±50nA。 PMDXB600UNEL的封裝具有裸露的漏極焊盤，可提高導熱性。結(jié)至焊點的熱阻僅為31K/W。漏源導通電阻的額定值低至470mΩ，有助于器件在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中實現(xiàn)良好的效率。 除了PMDXB600UNEL，Nexperia還提供PMDXB600UNEL的20V互補N/P溝道器件：PMCXB900UEL，以及20V雙P溝道MOSFET：PMDXB950UPEL。這兩款器件都提供低漏電流操作。 如您對以上產(chǎn)品感興趣，可登陸富昌電子[FutureElectronics]官網(wǎng)，了解更多包括[GRM1885C1H100JA01D]等熱門料號在內(nèi)的產(chǎn)品信息。富昌電子與多家[電子元件公司]合作，為您提供包括[電容]在內(nèi)，品類豐富的電子元器件產(chǎn)品線。 富昌電子https://www.futureelectronics.cn |
