Qrr是什么

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　　在電流流經(jīng)MOSFET體二極管的應(yīng)用中，例如，在同步整流器和續(xù)流應(yīng)用中，反向恢復(fù)電荷Qrr會引起一些重大問題，設(shè)計工程師需要認(rèn)真解決這些問題。那么，什么是Qrr呢？
　　Qrr是以nC為單位的存儲電荷，它是當(dāng)二極管正向偏置時，電荷載流子在體二極管的PN結(jié)中累積而引起。
　　由于大多數(shù)應(yīng)用所需的死區(qū)時間，電流在每個開關(guān)周期內(nèi)都會兩次流過體二極管。
　　首先，我們可以考慮同步FET導(dǎo)通之前發(fā)生的事情。由于在死區(qū)時間內(nèi)電流將流經(jīng)體二極管，因此一些負(fù)載電流會形成存儲電荷Qrr。
　　隨著同步FET導(dǎo)通，存儲電荷在MOSFET內(nèi)部耗散。因此，一部分負(fù)載電流由于Qrr效應(yīng)而丟失，并成為同步FET內(nèi)的I2R損耗。
　　在第二種情況下，當(dāng)高邊MOSFET導(dǎo)通時，MOSFET的體二極管再次反向偏置。額外的電流Irr+負(fù)載電流短暫地流過高邊MOSFET，直到存儲電荷Qrr完全耗盡。
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